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參數(shù)資料
| 型號： | SGB04N60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT) |
| 中文描述： | 9.4 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB |
| 文件頁數(shù)： | 11/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 270K |
| 代理商： | SGB04N60 |
SGP04N60, SGB04N60
SGD04N60, SGU04N60
11
Mar-00
Figure A. Definition of switching times
I
r r m
90%
I
r r m
10%
I
r r m
di
/dt
r r
di /dt
t
r r
I
F
i,v
t
Q
S
Q
F
t
S
t
F
V
R
Q =Q
Q
S
F
+
t =t
t
S
F
+
Figure C. Definition of diodes
switching characteristics
p(t)
1
2
n
T (t)
τ
1
r
1
τ
2
r
2
n
n
τ
r
T
C
r
r
r
Figure D. Thermal equivalent
circuit
Figure B. Definition of switching losses
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SGD04N60 | Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT) |
| SGP04N60 | Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速 S-IGBT) |
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| SGB15N120 | Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT技術(shù)中的快速S-IGBT) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SGB04N60_06 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation |
| SGB06N60 | 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 6A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| SGB06N60_06 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation |
| SGB06N60ATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT NPT 600V 12A 68W TO263-3 |
| SGB07N120 | 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 8A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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