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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SDT10S60 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Silicon Carbide Schottky Diode |
| 中文描述： | 碳化硅肖特基二極管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 618K |
| 代理商： | SDT10S60 |
2001-12-04
Page 5
SDP10S30, SDB10S30
SDT10S30
Preliminary data
5 Typ. reverse current vs. reverse voltage
I
R
=
f
(
V
R
)
50
100
150
200
V
300
V
R
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
μA
I
R
150°C
125°C
100°C
25°C
6 Transient thermal impedance
Z
thJC
=
f
(
t
p
)
parameter :
D
=
t
p
/
T
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
0
s
t
p
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
K/W
SDP10S30
t
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
7 Typ. capacitance vs. reverse voltage
C
=
f
(
V
R
)
parameter:
T
C
= 25 °C,
f
= 1 MHz
10
0
10
1
10
2
10
3
V
V
R
0
50
100
150
200
250
300
350
pF
450
C
8 Typ.
C
stored energy
E
C
=
f
(
V
R
)
0
50
100
150
200
V
300
V
R
0
0.5
1
1.5
μJ
2.5
E
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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