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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SDT08S60 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類(lèi)： | 整流器 |
| 英文描述： | 8 A, 600 V, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220, 2 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大小： | 532K |
| 代理商： | SDT08S60 |
200
8-06-02
Rev. 2.
2
Page 4
SDT08S60
1 Power dissipation
Ptot = f (TC)
0
20
40
60
80 100 120 140 160
°C 190
TC
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
W
70
SDT08S60
P
tot
2 Diode forward current
IF= f (TC)
parameter: Tj≤175 °C
0
20
40
60
80
100 120 140
°C 180
TC
0
1
2
3
4
5
6
7
A
9
I F
4 Typ. forward power dissipation vs.
average forward current
PF(AV)=f(IF) TC=100°C, d = tp/T
0
2
4
6
8
10
12
A
16
IF(AV)
0
4
8
12
16
20
24
28
W
36
P
F(AV)
d=1
d=0,5
d=0,2
d=0,1
3 Typ. forward characteristic
IF = f (VF)
parameter: Tj , tp = 350 s
0 0.25 0.5 0.75 1 1.25 1.5 1.75 2
V
2.5
VF
0
2
4
6
8
10
12
A
16
I F
150°C
125°C
100°C
25°C
-40°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SDT10S60 | 10 A, 600 V, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| SDT12S60 | 12 A, 600 V, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| SE07PB-M3/85A | 0.7 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-220AA |
| SE07PJ-M3/84A | 0.7 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-220AA |
| SE07PG-M3/84A | 0.7 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-220AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SDT08S60_08 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Silicon Carbide Schottky Diode |
| SDT08S60XK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 |
| SDT100 | 制造商:SIRECTIFIER 制造商全稱:Sirectifier Semiconductors 功能描述:Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules |
| SDT100GK08 | 制造商:SIRECTIFIER 制造商全稱:Sirectifier Semiconductors 功能描述:Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules |
| SDT100GK12 | 制造商:SIRECTIFIER 制造商全稱:Sirectifier Semiconductors 功能描述:Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules |
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