參數(shù)資料
型號(hào): SD823C12S30CPBF
元件分類(lèi): 整流器
英文描述: 910 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝: B-43, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù): 7/10頁(yè)
文件大小: 214K
代理商: SD823C12S30CPBF
SD823C..C Series
6
Bulletin I2074 rev. D 04/00
www.irf.com
Fig. 9 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 10 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 11 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 12 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 13 - Maximum Non-repetitive Surge Current
Fig. 14 - Maximum Non-repetitive Surge Current
0
50 0
100 0
150 0
200 0
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0
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400
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8 00
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180 °
120 °
90 °
60 °
30 °
A v e ra ge F o rw a rd C u rre n t ( A )
M
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RM S L im it
Co nd uc tio n An gle
S D 823C ..S 20C Se rie s
T = 1 5 0 °C
J
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10 00
15 00
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0
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DC
18 0 °
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W
)
C o nd uc tion Pe riod
SD 823C ..S 20C Se rie s
T = 1 5 0 °C
J
2 000
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4 000
5 000
6 000
7 000
8 000
9 000
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1 0 0
Nu m b e r O f Eq u a l Am p litud e H a lf C yc le C urren t Puls es ( N)
P
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ak
Hal
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C
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t(
A
)
S D 8 23C ..S2 0C S e ries
In itia l T = 1 5 0 ° C
@ 60 H z 0.0 083 s
@ 50 H z 0.0 100 s
At An y R a t e d L o a d C o n d it io n An d W it h
R a t e d V
A p p lie d Fo llo w in g S u rg e .
RRM
J
2000
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6000
7000
8000
9000
1 0000
0.01
0.1
1
Pu lse T ra in D u ra t io n ( s)
M a xim u m N o n R e p e t itiv e Su rg e C urr e n t
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In itia l T = 1 50 °C
N o V o lt ag e Re ap p lie d
R a te d V
Re ap p lie d
V e rsu s P u lse T rain D u ra tio n.
S D 823C ..S 2 0 C S e ries
RRM
J
0
50 0
100 0
150 0
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DC
180 °
120 °
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T = 150 ° C
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18 0 °
12 0 °
90 °
60 °
30 °
A v e r a g e Fo rw a rd C u rre n t ( A )
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)
RM S L im it
Cond uc tio n Ang le
SD 823C ..S 30C Se rie s
T = 1 5 0 °C
J
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PDF描述
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SD833-03 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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