參數(shù)資料
型號(hào)： SD603C22S20C
元件分類： 整流器
英文描述： 600 A, 2200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： B-43, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 8/8頁(yè)
文件大?。?/td> 202K
代理商： SD603C22S20C
SD603C..C Series
8
Bulletin I2068 rev. C 04/00
www.irf.com
1E 1
1E 2
1E 3
1E 4
1 E 11 E 2
1 E 31 E 4
1
2
0.1
P u lse B ase w id t h ( s)
P
e
a
k
F
o
rw
a
rd
C
u
rr
e
n
t(
A
)
4
dv / dt = 1000V/ s
Sinu soi dal Pu lse
20 jo ules p er p uls e
10
0.4
0. 2
0. 04
0.0 2
SD603C..S15C Se ries
T = 125 °C, V
= 1760V
J
RR M
tp
1E 4 1 E 1
1E 2
1 E 3
1E 4
1
2
P u lse B a se w id t h ( s)
4
2 0 jo ules pe r pulse
10
0.4
0.2
Tra pezo id al Pu lse
d v /dt = 1 0 00 V / s; di/ dt=5 0 A / s
SD 6 0 3C ..S15 C Se ries
T = 125 °C , V
= 1760V
J
RRM
tp
1E 1
Fig. 22 - Maximum Total Energy Loss Per Pulse Characteristics
1E 1
1 E 2
1E 3
1 E 4
1
2
P u lse B a se w id t h ( s)
4
20 jo ules pe r pulse
10
0.4
Trap ez o idal Pu lse
dv /dt = 1000V/ s; di/ dt = 50 A / s
T = 125 °C , V
= 1760V
SD 603C ..S20 C Seri es
J
RRM
tp
1E 1
1E 2
1E 3
1E 4
1E 1
1 E 2
1 E 3
1 E 4
1
2
0.1
P ulse B a se w id t h ( s)
P
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ak
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C
u
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(A
)
4
dv / dt = 1000V/ s
Sin u so id al Pu lse
2 0 jo ules p e r p uls e
10
0.4
0.2
0. 04
SD 603 C..S20C Se ri es
T = 125 °C , V
= 1 7 60 V
J
RRM
tp
1E 4
Fig. 23 - Maximum Total Energy Loss Per Pulse Characteristics
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PDF描述
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SD603C08S10CPBF 600 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD603C08S10C 600 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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