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參數(shù)資料
| 型號： | SD600R22PCPBF |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 600 A, 2200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 121K |
| 代理商： | SD600R22PCPBF |
SD600N/R Series
6
Bulletin I2070 rev. C 03/03
www.irf.com
2000
4000
6000
8000
10000
12000
110
100
Numb er Of Equa l Amp litud e Ha lf Cyc le Current Pulses (N)
P
e
ak
H
a
lf
S
in
e
W
a
v
e
F
o
rw
a
rd
C
u
rr
e
n
t(
A
)
At Any Rated Load Condition And With
Rated V
Applied Following Surge.
RRM
Initial T = 180°C
@60 Hz 0.0083 s
@50 Hz 0.0100 s
J
SD600N/ RSeries
(400V to 2000V)
2000
4000
6000
8000
10000
12000
14000
0.01
0.1
1
Pulse Train Duration (s)
P
e
a
k
H
a
lf
S
in
e
W
a
v
e
F
o
rw
a
rd
C
u
rr
e
n
t(
A
)
Maximum Non Repetitive Surge Current
Versus Pulse Train Duration.
Initial T = 180 °C
No Voltage Reapplied
Rated V
Reapplied
RRM
J
SD600N/ RSeries
(400V to 2000V)
Fig. 9 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 10 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
25
50
75
100
125
150
Maximum Allowable Ambient Temperature (°C)
1 K/ W
R
=
0.0
2
K/W
- D
elt
a
R
th
SA
0.0
4
K/W
0.0
6
K/W
0.1
K/W
0.2
K/ W
0.4 K/W
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
0
100
200
300
400
500
600
180°
120°
90°
60°
30°
RMSLimit
Cond uc tion Angle
M
a
x
imu
m
A
v
e
ra
g
e
F
o
rw
a
rd
P
o
w
e
rL
o
ss
(
W
)
Average Forward Current (A)
SD600N/ RSeries
(2500V to 3200V)
T = 150°C
J
25
50
75
100
125
150
Maximum Allowable Ambient Temperature (°C)
1 K/W
R
=
0.0
2
K/ W
- D
elta
R
th
SA
0.0
4 K
/ W
0.0
6 K
/ W
0.1
K/ W
0.2 K
/ W
0.4 K/ W
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900
DC
180°
120°
90°
60°
30°
RMSLimit
Cond uc tion Period
M
a
x
im
u
m
A
v
er
a
g
e
F
o
rw
a
rd
P
o
w
e
rL
o
ss
(
W
)
Average Forward Current (A)
SD600N/ RSeries
(2500V to 3200V)
T = 150°C
J
Fig. 7 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 8 - Forward Power Loss Characteristics
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SD600N04PCPBF | 600 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SD600R20PCPBF | 600 A, 2000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SD600R25FC | 600 A, 2500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SD300C06CPBF | 650 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AA |
| SD300C10CPBF | 650 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SD600R28PC | 功能描述:DIODE STD REC 2800V 600A B-8 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| SD600R32PC | 功能描述:DIODE STD REC 3200V 600A B-8 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| SD601-526-0850Y | 制造商:VITESSE 制造商全稱:Vitesse Semiconductor Corporation 功能描述:TYPE N BULKHEAD JACK |
| SD601-526-1410Y | 制造商:VITESSE 制造商全稱:Vitesse Semiconductor Corporation 功能描述:TYPE N BULKHEAD JACK |
| SD6020-100-R | 功能描述:固定電感器 10uH 1.2A 103.3mOhms RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm |
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