參數(shù)資料
型號： SD600R22PCPBF
元件分類： 整流器
英文描述： 600 A, 2200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 121K
代理商： SD600R22PCPBF
SD600N/R Series
2
Bulletin I2070 rev. C 03/03
www.irf.com
SD600N/R
35
Voltage
V
RRM
, maximum repetitive
V
RSM
, maximum non-
I
RRM
max.
Type number
Code
peak reverse voltage
repetitive peak rev. voltage
@ T
J
= T
J
max.
VV
mA
04
400
500
08
800
900
12
1200
1300
16
1600
1700
20
2000
2100
22
2200
2300
28
2800
2900
32
3200
3300
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Voltage Ratings
I
F(AV)
Max. average forward current
600
A
180° conduction, half sine wave
@ Case temperature
92
54
°C
I
F(AV)
Max. average forward current
570
375
A
180° conduction, half sine wave
@ Case temperature
100
°C
I
F(RMS)
Max. RMS forward current
940
A
DC @ T
C
= 75°C (04 to 20), T
C
= 36°C (25 to 32)
I
FSM
Max. peak, one-cycle forward,
13000
10500
t = 10ms
No voltage
non-repetitive surge current
13600
11000
t = 8.3ms
reapplied
10900
8830
t = 10ms
100% V
RRM
11450
9250
t = 8.3ms
reapplied
Sinusoidal half wave,
I2t
Maximum I2t for fusing
845
551
t = 10ms
No voltage
Initial T
J
= T
J
max.
772
503
t = 8.3ms
reapplied
598
390
t = 10ms
100% V
RRM
546
356
t = 8.3ms
reapplied
I2
√t
Maximum I2
√t for fusing
8450
5510
KA2
√s
t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied
V
F(TO)1
Low level value of threshold
voltage
V
F(TO)2
High level value of threshold
voltage
r
f1
Low level value of forward
slope resistance
r
f2
High level value of forward
slope resistance
V
FM
Max. forward voltage drop
1.31
1.44
V
I
pk
= 1500A, T
J
= T
J
max, t
p
= 10ms sinusoidal wave
SD600N/R
04 to 20 22 to 32
Parameter
Units
Conditions
0.31
0.38
(I >
π x I
F(AV)
),T
J
= T
J
max.
0.35
0.40
(16.7% x
π x I
F(AV)
< I <
π x I
F(AV)
), T
J
= T
J
max.
m
0.87
0.88
(I >
π x I
F(AV)
),T
J
= T
J
max.
0.78
0.84
(16.7% x
π x I
F(AV)
< I <
π x I
F(AV)
), T
J
= T
J
max.
V
KA2s
A
Forward Conduction
相關PDF資料
PDF描述
SD600N04PCPBF 600 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD600R20PCPBF 600 A, 2000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD600R25FC 600 A, 2500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD300C06CPBF 650 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AA
SD300C10CPBF 650 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AA
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SD600R28PC 功能描述:DIODE STD REC 2800V 600A B-8 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
SD600R32PC 功能描述:DIODE STD REC 3200V 600A B-8 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
SD601-526-0850Y 制造商:VITESSE 制造商全稱:Vitesse Semiconductor Corporation 功能描述:TYPE N BULKHEAD JACK
SD601-526-1410Y 制造商:VITESSE 制造商全稱:Vitesse Semiconductor Corporation 功能描述:TYPE N BULKHEAD JACK
SD6020-100-R 功能描述:固定電感器 10uH 1.2A 103.3mOhms RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*