參數(shù)資料
型號: SD303C25S20C
廠商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類: 整流器
英文描述: 350 A, 2500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AA
封裝: PUK-2
文件頁數(shù): 8/8頁
文件大小: 204K
代理商: SD303C25S20C
SD303C..C Series
8
Bulletin I2066 rev. C 04/00
www.irf.com
E 1
1E 2
1 E 3
1E 4
1
2
P u lse B a se w id th ( s)
4
20 jo ule s p er p uls e
10
0.4
0.2
Trapezo idal Pu lse
d v/ dt = 1000V/ s ; di / dt= 50A/ s
T = 125 °C , V
= 1760V
J
RRM
SD 303C..S15C Se rie s
tp
1E 1
1E 2
1E 3
1E 4
1E 1
1 E 2
1E 3
1 E 4
1
2
0.1
Pu lse B a se w id t h ( s)
P
e
ak
Fo
rw
ar
d
C
u
rr
e
n
t(
A
)
4
dv / dt = 1000V/ s
Sinu so idal P ulse
20 jo ules p e r p uls e
10
0.4
0.2
0.04
0.0 2
SD 303C..S15 C Se ri es
T = 125 °C, V
= 1760V
J
RRM
1E 4
tp
Fig. 22 - Maximum Total Energy Loss Per Pulse Characteristics
Fig. 23 - Maximum Total Energy Loss Per Pulse Characteristics
E 1
1E 2
1 E 3
1E 4
1
2
P u lse B a se w id th ( s)
4
20 jo ule s p er p uls e
10
0.4
0.2
Trapezo ida l Pulse
dv / dt = 1000V/ s ; di / dt= 50A/ s
SD 303C..S20C Se rie s
T = 125 °C , V
= 1760V
J
RRM
tp
1E 1
1E 2
1E 3
1E 4
1 E 11 E 2
1 E 31 E 4
1
2
0.1
Pu lse B a se w id t h ( s)
P
e
ak
Fo
rw
ar
d
C
u
rr
e
n
t(
A
)
4
dv / dt = 1000V/ s
Sin uso ida l Pu lse
20 jo u le s per pu ls e
10
0. 4
0.2
0. 04
T = 125 °C, V
= 1760V
J
RR M
S D303C..S20C Se rie s
1E 4
tp
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