參數(shù)資料
型號(hào)： SD1100C08L
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 整流器
英文描述： 1170 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
封裝： CERAMIC, BPUK-2
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 112K
代理商： SD1100C08L
SD1100C..L Series
4
Bulletin I2073 rev. D 04/00
www.irf.com
Outline Table
Case Style DO-200AB (B-PUK)
All dimensions in millimeters (inches)
Fig. 2 - Current Ratings Characteristics
Fig. 1 - Current Ratings Characteristics
40
60
80
10 0
12 0
14 0
16 0
18 0
0
2 0 0
40 0
600
8 0 0
30 °
60 °
90 °
12 0°
18 0°
A v e ra g e Fo rw a rd C u rre n t ( A )
M
a
x
im
u
m
A
llo
w
a
b
le
H
e
a
ts
in
k
T
e
m
p
er
a
tu
re
(°
C
)
Co nd uc tio n An g le
( S in gle S id e C o o led )
R
( D C ) = 0 .1 1 K / W
thJ -h s
S D 110 0C ..L Se ries ( 400 V t o 2000 V )
20
40
60
80
10 0
12 0
14 0
16 0
18 0
0
2 0 0
40 0
600
800
100 0
1 2 0 0
30 °
60 °
90 °
180 °
DC
120 °
A v era g e F o rw a rd C u rr e n t ( A )
M
a
x
imu
m
A
llo
w
a
b
le
H
e
a
ts
in
kT
e
mp
e
ra
tu
re
(
°C)
Co nd uc tio n Period
( S in g le S id e C o o le d )
R
( D C ) = 0 .1 1 K / W
th J- hs
SD 110 0C ..L Se rie s ( 400V t o 2000V )
BOTH ENDS
0.8 (0.03)
TWO PLACES
3.5(0.14) DIA. NOM. x
1.8(0.07) DEEP MIN.
34 (1.34) DIA. MAX.
58.
5
(
2
.3
0
)D
IA
.M
A
X
.
2
6
.9
(
1
.06)
2
5
.4
(
1
)
BOTH ENDS
53 (2.09) DIA. MAX.
Quote between upper and lower
pole pieces has to be considered
after application of Mounting Force
(see Thermal and Mechanical
Specification)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SD1100C20L 1170 A, 2000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
SD1100C04LPBF 1170 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
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SD1100C16LPBF 1170 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
SD1100C20LPBF 1170 A, 2000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
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