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    參數(shù)資料
    型號(hào): SD1100C08L
    廠商: VISHAY SEMICONDUCTORS
    元件分類: 整流器
    英文描述: 1170 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
    封裝: CERAMIC, BPUK-2
    文件頁數(shù): 3/7頁
    文件大小: 112K
    代理商: SD1100C08L
    SD1100C..L Series
    3
    Bulletin I2073 rev. D 04/00
    www.irf.com
    Parameter
    Units
    Conditions
    T
    J
    Max. junction operating temperature range
    -40 to 180
    -40 to 150
    T
    stg
    Max. storage temperature range
    -55 to 200
    R
    thJ-hs
    Max. thermal resistance, junction
    0.11
    DC operation single side cooled
    to heatsink
    0.05
    DC operation double side cooled
    F
    Mounting force, ± 10%
    9800
    N
    (1000)
    (Kg)
    wt
    Approximate weight
    250
    g
    Case style
    DO-200AB (B-PUK)
    See Outline Table
    °C
    K/W
    SD1100C..L
    04 to 20
    25 to 32
    Ordering Information Table
    1
    -
    Diode
    2
    -
    Essential part number
    3
    -
    0 = Standard recovery
    4
    -
    C = Ceramic Puk
    5
    -
    Voltage code: Code x 100 = V
    RRM
    (See Voltage Ratings table)
    6
    -
    L = Puk Case DO-200AB (B-PUK)
    Sinusoidal conduction
    Rectangular conduction
    Conduction angle
    Units
    Conditions
    Single Side Double Side
    180°
    0.011
    0.008
    120°
    0.014
    0.015
    0.014
    90°
    0.018
    0.019
    60°
    0.026
    0.027
    0.028
    30°
    0.045
    0.046
    K/W
    T
    J = TJ max.
    1
    23
    4
    5
    6
    Device Code
    SD 110
    0
    C
    32
    L
    R
    thJ-hs
    Conduction
    (The following table shows the increment of thermal resistence R
    thJ-hs when devices operate at different conduction angles than DC)
    Thermal and Mechanical Specifications
    相關(guān)PDF資料
    PDF描述
    SD1100C20L 1170 A, 2000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
    SD1100C04LPBF 1170 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
    SD1100C32L 910 A, 3200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
    SD1100C16LPBF 1170 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
    SD1100C20LPBF 1170 A, 2000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
    相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
    參數(shù)描述
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    SD1100C12C 功能描述:DIODE STD REC 1200V 1400A E-PUK RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> 二極管,整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)(最大):1.45V @ 30A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 400V 電流 - 平均整流 (Io)(每個(gè)二極管):30A 電壓 - (Vr)(最大):400V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):65ns 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 二極管配置:2 個(gè)獨(dú)立式 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:ISOTOP? 包裝:管件
    SD1100C12L 功能描述:DIODE STD REC 1200V 1170A B-PUK RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> 二極管,整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)(最大):1.45V @ 30A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 400V 電流 - 平均整流 (Io)(每個(gè)二極管):30A 電壓 - (Vr)(最大):400V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):65ns 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 二極管配置:2 個(gè)獨(dú)立式 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:ISOTOP? 包裝:管件
    SD1100C12L599306 制造商:n/a 功能描述:Diode/Heatsink. Assy
    SD1100C16C 功能描述:DIODE STD REC 1600V 1400A E-PUK RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> 二極管,整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)(最大):1.45V @ 30A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 400V 電流 - 平均整流 (Io)(每個(gè)二極管):30A 電壓 - (Vr)(最大):400V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):65ns 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 二極管配置:2 個(gè)獨(dú)立式 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:ISOTOP? 包裝:管件