參數(shù)資料
型號： SBS814
元件分類： 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率)
英文描述： 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： ULTRA SMALL, VEC8, 8 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 34K
代理商： SBS814
SBS814
No. A0157-3/4
Reverse Voltage, VR -- V
C -- VR
Interterminal
Capacitance,
C
-
pF
7 0.01
23
7 0.1
0
52
2
3
37 1.0
5
12
14
8
4
10
6
2
ID00435
IFSM -- t
Time, t -- s
Sur
ge
Forward
Current,
I
FSM
(Peak)
--
A
1.0
0.1
10
2
3
5
7
100
7
23
5
2
10
7
35
2
3
5
IT10124
f=1MHz
0
0.2
0.6
0.4
0.8
1.2
1.0
0
20
40
120
100
80
60
140
IT10123
(3)
(1)
(2)
(4)
(2)
(3)
(1)
0
0.2
0.6
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
1.2
1.0
0.8
0.4
0.6
IT10121
(4)
0
0.0010
0.0020
0.0030
10
5
0.0040
0.0005
0.0015
0.0025
0.0035
20
15
40
30
50
IT10122
(1)
(2)
(3)
(4)
Average Output Current, IO -- A
PF(AV) -- IO
A
verage
Forward
Power
Dissipation,
P
F
(A
V)
-
W
180
°
360
°
Sine wave
θ
360
°
Rectangular
wave
(1)Rectangular wave
θ=60°
(2)Rectangular wave
θ=120°
(3)Rectangular wave
θ=180°
(4)Sine wave
θ=180°
IS
20ms
t
Current waveform 50Hz sine wave
Tc -- IO
θ
360
°
180
°
360
°
(1)Rectangular wave
θ=60°
(2)Rectangular wave
θ=120°
(3)Rectangular wave
θ=180°
(4)Sine wave
θ=180°
Rectangular
wave
Sine
wave
Case
T
emperature,
T
c
-
°C
Average Output Current, IO -- A
PR(AV) -- VR
Average Reverse Voltage, VR -- V
(1)Rectangular wave
θ=300°
(2)Rectangular wave
θ=240°
(3)Rectangular wave
θ=180°
(4)Sine wave
θ=180°
Rectangular
wave
Sine wave
θ
360
°
VR
180
°
360
°
VR
A
verage
Reverse
Power
Dissipation,
P
R
(A
V)
-
W
*When mounted in reliability
operaion board, Rth(J-a)=67.13
°C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SBT150-06J 15 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
SBT80-04Y 8 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SCA1N6643 0.3 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SCAJ6 2 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
SCF10000 SILICON, SIGNAL DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SBS817 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low VF Schottky Barrier Diode 15V, 2.0A Rectifier
SBS817-TL-E 功能描述:肖特基二極管與整流器 SBD DUAL PARALLEL 2A 15V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
SBS818 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low VF Schottky Barrier Diode 30V, 2.0A Rectifier
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