參數(shù)資料
型號(hào)： SB540
廠商： LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 整流器
英文描述： 5 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
封裝： PLASTIC PACKAGE-2
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大小： 120K
代理商： SB540
SB520 thru SB540
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
REVERSE VOLTAGE
–
20 to 40 Volts
FORWARD CURRENT
–
5.0 Amperes
FEATURES
Metal-Semiconductor junction with guard ring
Epitaxial construction
Low forward voltage drop
High current capability
The plastic material carries UL recognition 94V-0
For use in low voltage, high frequency inverters, free
wheeling, and polarity protection application
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-201AD molded plastic
Polarity: Color band denotes cathode
Weight:0.04 ounces, 1.1 grams
Mounting position: Any
DO-201AD
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
CHARACTERISTICS
SYMBOL
SB520
SB530
SB540
UNIT
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
VRRM
20
30
40
V
Maximum RMS Voltage
VRMS
14
21
28
V
Maximum DC Blocking Voltage
VDC
20
30
40
A
Maximum Average Forward
@TC=85°C
Rectified Current
IAV
5.0
A
Peak Forward Surge 8.3ms single half
sine-wave superimposed on rated load
IFSM
150
A
Maximum Forward Voltage at 5.0A DC
VF
0.55
V
Maximum DC Reverse Current
@Tj=25°C
at Rated DC Blocking Voltage
@Tj=100°C
IR
0.5
20
mA
Typical Thermal Resistance (Note 1)
RΘJL
15
°C/W
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Cj
300
pF
Operating Junction Temperature Range
Tj
-55 to +125
°C
Storage Temperature Range
TSTG
-55 to +150
°C
Note : (1)Thermal Resistance Junction to Lead..
(2)Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
REV.1, Oct-2010, KDHF12
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SB850DT/R13 8 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
SB850FCT 8 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
SBA50-04Y 5 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SBF2060CT 20 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
SBG1025L-13 10 A, 25 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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參數(shù)描述
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