參數(shù)資料
型號： SA5212AD
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 通信及網(wǎng)絡(luò)
英文描述： Transimpedance amplifier 140MHz
中文描述： SPECIALTY TELECOM CIRCUIT, PDSO8
封裝： PLASTIC, SO-8
文件頁數(shù)： 7/20頁
文件大小： 186K
代理商： SA5212AD
Philips Semiconductors
Product specification
SA5212A
Transimpedance amplifier (140MHz)
1998 Oct 07
7
TEST CIRCUITS
(Continued)
GND
2
Test Circuit 8
Figure 6. Test Circuit 8
OUT +
OUT –
GND
1
IN
DUT
I
IN
(
μ
A)
5V
V
OUT
(V)
+
–
Typical Differential Output Voltage
vs Current Input
2.00
1.60
1.20
0.80
0.40
0.00
–0.40
–0.80
–1.20
–1.60
–2.00
–200
–160
–120
–80
–40
0
40
80
120
160
200
D
CURRENT INPUT (
μ
A)
NE5212A TEST CONDITIONS
Procedure 1
R
T
measured at 30
μ
A
R
T
= (V
O1
– V
O2
)/(+30
μ
A – (–30
μ
A))
Where: V
O1
Measured at I
IN
= +30
μ
A
V
O2
Measured at I
IN
= –30
μ
A
Procedure 2
Linearity = 1 – ABS((V
OA
– V
OB
) / (V
O3
– V
O4
))
Where: V
O3
Measured at I
IN
= +60
μ
A
V
O4
Measured at I
IN
= –60
μ
A
VOA
VOB
RT
RT
(
60 A)
VOB
VOB
(
60 A)
Procedure 3
V
OMAX
= V
O7
– V
O8
Where: V
O7
Measured at I
IN
= +130
μ
A
V
O8
Measured at I
IN
= –130
μ
A
Procedure 4
I
IN
Test Pass Conditions:
V
O7
– V
O5
> 20mV and V
06
– V
O5
> 20mV
Where: V
O5
Measured at I
IN
= +800
μ
A
V
O6
Measured at I
IN
= –80
μ
A
V
O7
Measured at I
IN
= +130
μ
A
V
O8
Measured at I
IN
= –130
μ
A
SD00340
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