參數(shù)資料
型號： SA5209D
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 衰減器
英文描述： Wideband variable gain amplifier
中文描述： 0 MHz - 850 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
文件頁數(shù)： 10/17頁
文件大?。?/td> 202K
代理商： SA5209D
Philips Semiconductors
Product specification
SA5209
Wideband variable gain amplifier
1997 Nov 07
10
50
1.5
–100
–50
0
150
100
V
CC
= 7.0V
V
CC
= 4.5V
Temperature
(
°
C)
I
1.45
1.4
1.35
1.3
1.25
1.2
1.15
1.1
1.05
1
DC Tested
See test-setup 1
SR00255
Figure 19. Input Resistance vs Temperature
2.5
–100
50
150
100
Temperature
(
°
C)
I
0
–50
2
1.5
1
0.5
0
V
CC
= 7.0V
V
CC
= 6.0V
V
CC
= 5.0V
V
CC
= 4.5V
DC Tested
See test-setup 1
SR00257
Figure 20. Input Bias Voltage vs Temperature
O
5
–100
50
150
100
0
–50
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
Temperature
(
°
C)
DC Tested
See test-setup 1
V
CC
= 7.0V
V
CC
= 6.0V
V
CC
= 5.0V
V
CC
= 4.5V
SR00256
Figure 21. Output Bias Voltage vs Temperature and V
CC
D
–100
–50
150
2.5
Temperature (
°
C)
0
50
100
2
1.5
1
0.5
0
V
AGC
= 1.1V
R
= 10k
DC Tested
See test-setup 1
SR00258
Figure 22. DC Output Swing vs Temperature
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