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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S71WS512N80BAEZZ3 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品（MCP）的閃存和移動(dòng)存儲(chǔ)芯片的CMOS 1.8伏特 |
| 文件頁數(shù)： | 76/142頁 |
| 文件大?。?/td> | 1996K |
| 代理商： | S71WS512N80BAEZZ3 |
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76
S29WSxxxN MirrorBit Flash Family For Multi-chip Products (MCP)
S71WS512NE0BFWZZ_00_ A1 June 28, 2004
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
DC Characteristics
CMOS Compatible
Note:
1. Maximum I
CC
specifications are tested with V
CC
= V
CC
max.
2. V
CC
= V
IO
3. The I
CC
current listed is typically less than 3 mA/MHz, with OE# at V
IH
.
4. I
CC
active while Embedded Erase or Embedded Program is in progress.
5. Device enters automatic sleep mode when addresses are stable for t
ACC
+ 20ns. Typical sleep mode current is equal to I
CC3
.
6. Total current during accelerated programming is the sum of V
ACC
and V
CC
currents.
7. CE# must be set high when measuring the RDY pin.
Parameter
Description
Test Conditions (
Note:
1
&
2
)
Min
Typ
Max
Unit
I
LI
I
LO
Input Load Current
V
IN
= V
SS
to V
CC
, V
CC
= V
CC
max
V
OUT
= V
SS
to V
CC
, V
CC
= V
CC
max
CE# = V
IL
, OE# = V
IH
,
WE# = V
IH
, burst length =
8
±1
μA
Output Leakage Current (Note 7)
±1
μA
I
CCB
V
CC
Active burst Read Current
54 MHz
36
54
mA
66 MHz
40
60
mA
CE# = V
IL
, OE# = V
IH
,
WE# = V
IH
, burst length =
16
54 MHz
32
48
mA
66 MHz
36
54
mA
CE# = V
IL
, OE# = V
IH
,
WE# = V
IH
, burst length =
32
54 MHz
28
42
mA
66 MHz
32
48
mA
CE# = V
IL
, OE# = V
IH
,
WE# = V
IH
, burst length =
Continuous
54 MHz
24
36
mA
66 MHz
28
42
mA
I
IO1
V
IO
Non-active Output
OE# = V
IH
20
30
μA
I
CC1
V
CC
Active Asynchronous Read Current
(Note 3)
CE# = V
IL
, OE# = V
IH
,
WE# = V
IH
10 MHz
30
36
mA
5 MHz
15
18
mA
1 MHz
3
4
mA
I
CC2
V
CC
Active Write Current
(Note 4)
CE# = V
IL
, OE# = V
IH
,
ACC = V
IH
V
ACC
V
CC
V
ACC
V
CC
1
5
μA
<35
<52.5
mA
I
CC3
V
CC
Standby Current
(Note 5)
CE# = RESET# =
V
CC
± 0.2 V
1
5
μA
20
30
μA
I
CC4
V
CC
Reset Current
V
CC
Active Current
(Read While Write)
RESET# = V
IL,
CLK = V
IL
20
30
μA
I
CC5
CE# = V
IL
, OE# = V
IH
, ACC = V
IH
<50
<60
mA
I
CC6
V
CC
Sleep Current
CE# = V
IL
, OE# = V
IH
20
30
μA
I
ACC
Accelerated Program Current
(Note 6)
CE# = V
IL
, OE# = V
IH,
V
ACC
= 9.5 V
V
ACC
V
CC
<30
<20
mA
<15
<20
mA
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
V
HH
V
LKO
Input Low Voltage
V
IO
= 1.8 V
V
IO
= 1.8 V
–0.5
0.4
V
Input High Voltage
V
IO
– 0.4
V
IO
+ 0.4
0.1
Output Low Voltage
I
OL
= 100 μA, V
CC
= V
CC
min
= V
IO
I
OH
= –100 μA, V
CC
= V
CC
min
= V
IO
V
Output High Voltage
V
IO
– 0.1
8.5
V
Voltage for Accelerated Program
9.5
V
Low V
CC
Lock-out Voltage
1.0
1.4
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71WS512N80BAIZZ0 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAIZZ2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAIZZ3 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAWZZ0 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAWZZ2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S71WS512N80BAIZZ0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAIZZ2 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAIZZ3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAWZZ0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BAWZZ2 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
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