參數(shù)資料
型號: S71PL032JA0BAW074
廠商: SPANSION LLC
元件分類: 存儲器
英文描述: SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56
封裝: 7 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-56
文件頁數(shù): 89/188頁
文件大?。?/td> 5078K
代理商: S71PL032JA0BAW074
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119
pSRAM Type 1
pSRAM_Type01_12_A0 June 8, 2004
Prelimin ary
Power Savings Modes (For 16M Page Mode, 32M and 64M Only)
There are several power savings modes.
Partial Array Self Refresh
Temperature Compensated Refresh (64M)
Deep Sleep Mode
Reduced Memory Size (32M, 16M)
The operation of the power saving modes ins controlled by the settings of bits
contained in the Mode Register. This definition of the Mode Register is shown in
Figure 86 and the various bits are used to enable and disable the various low
power modes as well as enabling Page Mode operation. The Mode Register is set
by using the timings defined in Figure xxx.
Partial Array Self Refresh (PAR)
In this mode of operation, the internal refresh operation can be restricted to a
16Mb, 32Mb, or 48Mb portion of the array. The array partition to be refreshed is
determined by the respective bit settings in the Mode Register. The register set-
tings for the PASR operation are defined in Table xxx. In this PASR mode, when
ZZ# is active low, only the portion of the array that is set in the register is re-
Figure 85. Timing Waveform of Page Mode Write Cycle (ZZ# = VIH)
Page Addr es s
(A4 - A20)
LB#, UB#
WE#
tWP
tCW
tDW
High-Z
Dat a Out
tLBW, tUBW
CE#
Wor d Addr es s
(A0 - A3 )
tWC
tPWC
tDH tPDW tPDH
tPDW
tPDH
tAS
tPGMAX
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S71PL032JA0BFW0F4 SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56
S29JL032H60TAI023 2M X 16 FLASH 3V PROM, 60 ns, PDSO48
S29AL016D70BAI022 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48
S29AL016D70TAN013 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48
S29AL016D90BFN013 1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA48
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