參數(shù)資料
型號: S71PL032JA0BAW074
廠商: SPANSION LLC
元件分類: 存儲器
英文描述: SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56
封裝: 7 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-56
文件頁數(shù): 185/188頁
文件大小: 5078K
代理商: S71PL032JA0BAW074
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁當(dāng)前第185頁第186頁第187頁第188頁
May 21, 2004 S29PL127_064_032J_00_A1
S29PL127J/S29PL064J/S29PL032J for MCP
95
Prelimin ary
Notes:
1. Typical program and erase times assume the following conditions: 25×C, 3.0 V VCC, 100,000 cycles. Additionally,
programming typicals assume checkerboard pattern. All values are subject to change.
2. Under worst case conditions of 90×C, VCC = 2.7 V, 100,000 cycles. All values are subject to change.
3. The typical chip programming time is considerably less than the maximum chip programming time listed, since most
bytes program faster than the maximum program times listed.
4. In the pre-programming step of the Embedded Erase algorithm, all bytes are programmed to 00h before erasure.
5. System-level overhead is the time required to execute the two- or four-bus-cycle sequence for the program
command. See Table 17 for further information on command definitions.
6. The device has a minimum erase and program cycle endurance of 100,000 cycles.
BGA Pin Capacitance
Notes:
1. Sampled, not 100% tested.
2. Test conditions TA = 25°C, f = 1.0 MHz.
Table 29. Erase And Programming Performance
Parameter
Unit
Comments
Sector Erase Time
0.5
2
sec
Excludes 00h programming
prior to erasure (Note 4)
Chip Erase Time
PL127J
135
216
sec
PL064J
71
113.6
sec
PL032J
39
62.4
sec
Word Program Time
6
100
s
Excludes system level
overhead (Note 5)
Accelerated Word Program Time
4
60
s
Chip Program Time
PL127J
50.4
200
sec
PL064J
25.2
50.4
sec
PL032J
12.6
25.2
sec
Parameter Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ
Max
Unit
CIN
Input Capacitance
VIN = 0
6.3
7
pF
COUT
Output Capacitance
VOUT = 0
7.0
8
pF
CIN2
Control Pin Capacitance
VIN = 0
5.5
8
pF
CIN3
WP#/ACC Pin Capacitance
VIN = 0
11
12
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S71PL032JA0BFW0F4 SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56
S29JL032H60TAI023 2M X 16 FLASH 3V PROM, 60 ns, PDSO48
S29AL016D70BAI022 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48
S29AL016D70TAN013 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48
S29AL016D90BFN013 1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA48
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
S71PL032JA0BAW0Z0 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Based MCPs
S71PL032JA0BAW0Z2 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Based MCPs
S71PL032JA0BAW0Z3 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Based MCPs
S71PL032JA0BAW9Z0 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Based MCPs
S71PL032JA0BAW9Z2 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Based MCPs