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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S71PL032J80BAW052 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | 存儲(chǔ)器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56 |
| 封裝： | 7 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-56 |
| 文件頁數(shù)： | 62/188頁 |
| 文件大?。?/td> | 5078K |
| 代理商： | S71PL032J80BAW052 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁當(dāng)前第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁
156
SRAM
SRAM_Type01_02A0 June 15, 2004
Prelimin ary
Figure 76. Timing Waveform of Write Cycle(2) (CS# controlled, if BYTE# is Low, Ignore UB#/LB# Timing)
Notes:
1. A write occurs during the overlap (tWP) of low CS1# and low WE#. A write begins when CS1# goes low and WE#
goes low with asserting UB# or LB# for single byte operation or simultaneously asserting UB# and LB# for double
byte operation. A write ends at the earliest transition when CS1# goes high and WE# goes high. The tWP is
measured from the beginning of write to the end of write.
2. tCW is measured from the CS1# going low to the end of write.
3. tAS is measured from the address valid to the beginning of write.
4. tWR is measured from the end of write to the address change. tWR applied in case a write ends as CS1# or WE#
going high.
Figure 77. Timing Waveform of Write Cycle(3) (UB#, LB# controlled)
High-Z
tWC
tCW(2)
tAW
tBW
tWP(1)
tDH
tDW
tWR(4)
tAS(3)
Address
CS1#
CS2
UB#, LB#
WE#
Data in
Data out
Data Valid
High-Z
tWC
tCW(2)
tBW
tWP(1)
tDH
tDW
tWR(4)
tAW
tAS(3)
tCW(2)
Address
CS1#
CS2
UB#, LB#
WE#
Data in
Data out
Data Valid
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71PL032J80BAW074 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56 |
| S71PL032JA0BAW074 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56 |
| S71PL032JA0BFW0F4 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56 |
| S29JL032H60TAI023 | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 60 ns, PDSO48 |
| S29AL016D70BAI022 | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S71PL032J80BAW0Z0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Based MCPs |
| S71PL032J80BAW0Z2 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Based MCPs |
| S71PL032J80BAW0Z3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Based MCPs |
| S71PL032J80BAW9Z0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Based MCPs |
| S71PL032J80BAW9Z2 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Based MCPs |
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