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參數資料
| 型號： | S71PL032J04-0K |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | STACKED MULTI CHIP PRODUCT FLASH MEMORY AND RAM |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產品，閃存和RAM |
| 文件頁數： | 97/196頁 |
| 文件大?。?/td> | 5729K |
| 代理商： | S71PL032J04-0K |
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August 12, 2004 S29PL127J_064J_032J_MCP_00_A3
S29PL127J/S29PL064J/S29PL032J for MCP
97
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
Notes:
1. Typical program and erase times assume the following conditions: 25
×
C, 3.0 V V
CC
, 100,000 cycles. Additionally,
programming typicals assume checkerboard pattern. All values are subject to change.
2. Under worst case conditions of 90
×
C, V
CC
= 2.7 V, 100,000 cycles. All values are subject to change.
3. The typical chip programming time is considerably less than the maximum chip programming time listed, since most
bytes program faster than the maximum program times listed.
4. In the pre-programming step of the Embedded Erase algorithm, all bytes are programmed to 00h before erasure.
5. System-level overhead is the time required to execute the two- or four-bus-cycle sequence for the program
command. See Table
17
for further information on command definitions.
6. The device has a minimum erase and program cycle endurance of 100,000 cycles.
BGA Pin Capacitance
Notes:
1. Sampled, not 100% tested.
2. Test conditions T
A
= 25°C, f = 1.0 MHz.
Table 29. Erase And Programming Performance
Parameter
Sector Erase Time
Typ (Note 1)
Max (Note 2)
Unit
Comments
0.5
2
sec
Excludes 00h programming
prior to erasure (Note 4)
Chip Erase Time
PL127J
135
216
sec
PL064J
71
113.6
sec
PL032J
39
62.4
sec
Word Program Time
6
100
μs
Excludes system level
overhead (Note 5)
Accelerated Word Program Time
4
60
μs
Chip Program Time
(Note 3)
PL127J
50.4
200
sec
PL064J
25.2
50.4
sec
PL032J
12.6
25.2
sec
Parameter Symbol
C
IN
C
OUT
C
IN2
C
IN3
Parameter Description
Input Capacitance
Output Capacitance
Control Pin Capacitance
WP#/ACC Pin Capacitance
Test Setup
V
IN
= 0
V
OUT
= 0
V
IN
= 0
V
IN
= 0
Typ
6.3
7.0
5.5
11
Max
7
8
8
12
Unit
pF
pF
pF
pF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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