參數資料
型號： S71PL032J04-0K
廠商： Spansion Inc.
英文描述： STACKED MULTI CHIP PRODUCT FLASH MEMORY AND RAM
中文描述： 堆疊式多芯片產品，閃存和RAM
文件頁數： 89/196頁
文件大?。?/td> 5729K
代理商： S71PL032J04-0K
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August 12, 2004 S29PL127J_064J_032J_MCP_00_A3
S29PL127J/S29PL064J/S29PL032J for MCP
89
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
Erase/Program Operations
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See the “Erase And Programming Performance” section for more information.
Table 25. Erase and Program Operations
Parameter
Speed Options
JEDEC
Std
Description
55
60
65
70
Unit
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
55
60
65
70
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min
0
ns
t
ASO
Address Setup Time to OE# low during toggle bit
polling
Min
15
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min
30
35
ns
t
AHT
Address Hold Time From CE# or OE# high during
toggle bit polling
Min
0
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min
25
30
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min
0
ns
t
OEPH
Output Enable High during toggle bit polling
Min
10
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recovery Time Before Write
(OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE# Setup Time
Min
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE# Hold Time
Min
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min
35
40
ns
t
WHDL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min
20
25
ns
t
SR/W
Latency Between Read and Write Operations
Min
0
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Programming Operation (Note 2)
Typ
6
μs
t
WHWH1
t
WHWH1
Accelerated Programming Operation (Note 2)
Typ
4
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.5
sec
t
VCS
V
CC
Setup Time (Note 1)
Min
50
μs
t
RB
Write Recovery Time from RY/BY#
Min
0
ns
t
BUSY
Program/Erase Valid to RY/BY# Delay
Max
90
ns
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PDF描述
S71PL032J08 STACKED MULTI CHIP PRODUCT FLASH MEMORY AND RAM
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參數描述
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