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參數(shù)資料
| 型號： | S5DNF20V |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-channel 20V - 0.030 ohm- 5A SO-8 2.7V - drive STripFET TM II Power MOSFET |
| 中文描述： | N溝道20V的- 0.030歐姆- 5A型的SO - 8 2.7 -驅動STripFET商標二功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 293K |
| 代理商： | S5DNF20V |
STS5DNF20V
Electrical characteristics
5/12
Table 6.
Source drain diode
Symbol
Parameter
Test conditions
Min
Typ.
Max
Unit
I
SD
Source-drain current
5
A
I
SDM (1)
V
SD (2)
1.
Pulse width limited by safe operating area.
Source-drain current (pulsed)
20
A
2.
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %
Forward on voltage
I
SD
= 5A, V
GS
= 0
1.2
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Reverse recovery current
I
SD
= 5A, V
DD
= 10V
di/dt = 100A/μs,
T
j
= 150°C
(see Figure 14)
26
13
1
ns
nC
A
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