參數(shù)資料
型號(hào)： S3F49FAXZZ
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： S3F49FAX for Compact Flash SPECIFICATION Revision 1.0
中文描述： S3F49FAX的閃存規(guī)范修訂版1.0
文件頁(yè)數(shù)： 24/27頁(yè)
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代理商： S3F49FAXZZ
SPECIFICATION
S3F49FAX
23
Table 12. D.C. Electrical Characteristics (In case of 3.3V Interface I/O)
(V
DD
= 3.3
±
0.3V, T
A
= -25 to 85
°
C)
Symbol
V
IH
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
High level input voltage
LVCMOS
Interface
2.0
V
V
IL
Low level input voltage
LVCMOS
Interface
0.8
V
V
T
V
T+
Switching threshold
LVCMOS
1.4
V
Switching trigger,
positive-going threshold
LVCMOS
2.0
V
V
T-
Switching trigger,
negative-going threshold
LVCMOS
0.8
V
Input buffer
–10
10
I
IH
High level input current
Input buffer
with pull-
down
V
IN
= V
DD
10
30
60
μ
A
Input buffer
–10
10
I
IL
Low level input current
Input buffer
with pull-up
V
IN
= V
SS
–60
–30
–10
μ
A
Type B4, B8
I
OH
= –1 mA
V
DD
–
0.05
Type B4
I
OH
= –4 mA
I
OH
= –8 mA
I
OL
= 1 mA
I
OL
= 4 mA
I
OL
= 8 mA
V
OUT
=
V
SS
or V
DD
V
OH
High level output voltage
Type B8
2.4
V
Type B4, B8
0.05
Type B4
V
OL
Low level output voltage
Type B8
0.4
V
I
OZ
Tri-state output leakage current
–10
10
μ
A
I
DD
Maximum operating current
45
80
mA
I
DS
Stop current
V
DD
= 3.3 V,
VCON = 2.2 V
100
150
μ
A
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