參數(shù)資料
型號(hào)： S30V
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Center Tap Chip Resistor
中文描述： 中心抽頭貼片電阻
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大小： 257K
代理商： S30V
Document Number: 60073
Revision 01-May-03
www.vishay.com
166
S30R / A30R, S30V / A30V
Vishay Thin Film
H
VISHAY THIN FILM FRANCE +33.4.93.37.28.24 FAX: +33.4.93.37.27.31 GERMANY +49.9287.710 FAX: +49 9287.70435 ISRAEL +972.3.557.0945 FAX: +972.3.558.9121
ITALY + 39.2.300.11919 FAX: +39.2.300.11999 JAPAN +81.3.5464.6411 FAX: +81.3.5464.6433 SINGAPORE +65.788.6668 FAX: +65.788.0988
SWEDEN +46.8.594.70590 FAX: +46.8.594.70581 UK +44 191 514 8237 FAX: +44 1953 457 722 USA: (610) 407-4800 FAX: (610) 640-9081
SUBSTRATE
ALUMINA
1
SILICON
Thickness (Mils)
10
±
2
14
±
2
Isolation Layer
None
SiO
2
(10,000 Min.)
Metallization
Gold (15,000 )
Gold (15,000 )
Die Size (X)
30 x 30
±
3 MIL
30 x 30
±
3 MIL
Terminations
4 Mils Square Min.
4 Mils Square Min.
Packaging Standard 2" Square Waffle Pack (400 Max. per Package)
DIMENSIONS
1
Alumina has the benefit of the higher thermal conductivity
and superior high frequency characteristics,however the
resistance range is limited by the poorer line resolution
versus silicon, because of the surface finish.
Visual Criteria
MIL-STD-833 Method 2032 Class H
Thermal Shock (MIL-STD-202, Method 107, Test Condition C)
0.05% Max.
R/R (0.02% Typical)
High Temperature Exposure (125
°
C, 100 Hours in Air)
0.10% Max.
R/R (0.07% Typical)
Low Temperature Operation (MIL-PRF-55342 Paragraph 4.7.4)
0.05% Max.
R/R (0.025% Typical)
Moisture Resistance (MIL-STD-202 Method 106)
0.25% Max.
R/R (0.05% Typical)
Short Time Overload (5 x Rated Power 25
°
C, 5 sec.)
0.25% Max.
R/R (0.05% Typical)
Resistance Ratio Accuracy
±
2% Standard or
±
0.1 ohm whichever is greater (0.05% available)
Resistive Element
Tamelox
Termination Pads
Gold
Substrate Material
Silicon or Alumina
T
X
X
Center Tap Chip Resistor
MECHANICAL SPECIFICATIONS
FULL LOT TRACEABILITY TO WAFER LEVEL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S30R Center Tap Chip Resistor
S30RAC Center Tap Chip Resistor
S3510 PC POWER SUPPLY SUPERVISORS
S3510 Silicon Power Rectifier
S35100 Silicon Power Rectifier
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參數(shù)描述
S30VT60 功能描述:橋式整流器 Bridge RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長(zhǎng)度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
S30VT60-4000 功能描述:橋式整流器 Bridge Diode RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長(zhǎng)度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
S30VT80 功能描述:橋式整流器 Bridge RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長(zhǎng)度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
S30VT80-4000 功能描述:橋式整流器 Bridge Diode RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長(zhǎng)度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
S30VTA 60 功能描述:橋式整流器 Bridge RoHS:否 制造商:Vishay 產(chǎn)品:Single Phase Bridge 峰值反向電壓:1000 V 最大 RMS 反向電壓: 正向連續(xù)電流:4.5 A 最大浪涌電流:450 A 正向電壓下降:1 V 最大反向漏泄電流:10 uA 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 長(zhǎng)度:30.3 mm 寬度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:SIP-4 封裝:Tube
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