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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29GL128N90FAI012 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| 中文描述： | 3.0伏只頁(yè)面模式閃存具有110納米MirrorBit⑩工藝技術(shù) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 84/100頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 952K |
| 代理商： | S29GL128N90FAI012 |
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82
S29GL-N MirrorBit Flash Family
S29GL-N_00_B3 October 13, 2006
D a t a S h e e t
AC Characteristics
OE#
CE#
Addresses
V
CC
WE#
Data
2AAh
SA
t
AH
t
WP
t
WC
t
AS
t
WPH
555h for chip erase
10 for Chip Erase
30h
t
DS
t
VCS
t
CS
t
DH
55h
t
CH
In
Progress
Complete
t
WHWH2
VA
VA
Erase Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data
RY/BY#
t
RB
t
BUSY
Notes:
1. SA = sector address (for Sector Erase), VA = Valid Address for reading status data (see
Write Operation Status on
page 67
).
2. These waveforms are for the word mode.
Figure 16. Chip/Sector Erase Operation Timings
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PDF描述 |
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