- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄365394 > S29GL128N90FAI012 (Spansion Inc.) 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29GL128N90FAI012 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| 中文描述： | 3.0伏只頁面模式閃存具有110納米MirrorBit⑩工藝技術(shù) |
| 文件頁數(shù)： | 83/100頁 |
| 文件大?。?/td> | 952K |
| 代理商： | S29GL128N90FAI012 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁當(dāng)前第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁
S29GL-N_00_B3 October 13, 2006
S29GL-N MirrorBit Flash Family
81
D a t a S h e e t
AC Characteristics
Notes:
1. Not 100% tested.
2. CE#, OE# = V
IL
3. OE# = V
IL
4. See
Figure 9, on page 75
and
Table 17 on page 75
for test specifications.
Figure 15. Accelerated Program Timing Diagram
OE#
WE#
CE#
V
CC
Data
Addresses
t
DS
t
AH
t
DH
t
WP
PD
t
WHWH1
t
WC
t
AS
t
WPH
t
VCS
555h
PA
PA
Read Status Data (last two cycles)
A0h
t
CS
Status
D
OUT
Program Command Sequence (last two cycles)
RY/BY#
t
RB
t
BUSY
t
CH
PA
Notes:
1. PA = program address, PD = program data, D
OUT
is the true data at the program address.
2. Illustration shows device in word mode.
Figure 14. Program Operation Timings
ACC
t
VHH
V
HH
V
IL
or V
IH
V
IL
or V
IH
t
VHH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL128N90FAI013 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N90FAI020 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N90FAI022 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N90FAI023 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N90FAIV10 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL128N90FAIR20 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3.3V 128M-Bit 16M x 8/8M x 16 90ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
| S29GL128N90FFIR10 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3.3V 128M-Bit 16M x 8/8M x 16 90ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
| S29GL128N90FFIR20 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3.3V 128M-Bit 16M x 8/8M x 16 90ns 64-Pin Fortified BGA Tray 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3.3V 128Mbit 16M/8M x 8bit/16bit 90ns 64-Pin Fortified BGA Tray 制造商:Spansion 功能描述:Flash - NOR IC |
| S29GL128N90TAIR10 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3.3V 128M-Bit 16M x 8/8M x 16 90ns 56-Pin TSOP Tray |
| S29GL128N90TAIR20 | 制造商:Spansion 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。