參數(shù)資料
型號(hào)： S29GL064N90TFIV62
廠商： Spansion Inc.
英文描述： 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology
中文描述： 64兆，32兆位3.0伏只頁面模式閃存具有110納米MirrorBit工藝技術(shù)
文件頁數(shù)： 68/79頁
文件大?。?/td> 2191K
代理商： S29GL064N90TFIV62
68
S29GL-N MirrorBit
Flash Family
S29GL-N_01_09 November 16, 2007
D a t a
S h e e t
Figure 15.5
Program Operation Timings
Notes
1. PA = program address, PD = program data, D
OUT
is the true data at the program address.
2. Illustration shows device in word mode.
Figure 15.6
Accelerated Program Timing Diagram
OE#
WE#
CE#
V
CC
Data
Addresses
t
DS
t
AH
t
DH
t
WP
PD
t
WHWH1
t
WC
t
AS
t
WPH
t
VCS
555h
PA
PA
Read Status Data (last two cycles)
A0h
t
CS
Status
D
OUT
RY/BY#
t
RB
t
BUSY
t
CH
PA
Program Command Sequence (last two cycles)
ACC
t
V
V
IL
IH
V
IL
IH
t
t
VHH
V
HH
V
IL
or V
IH
V
IL
or V
IH
t
VHH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S29GL256M10FFIR23 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90BDIR02 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90BDIR03 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90BDIR10 MOSFET, Switching; VDSS (V): 200; ID (A): 25; Pch : 30; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.036; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: -; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 2200; toff (µs) typ: 0.11; Package: TO-220FN
S29GL064M90BDIR12 MOSFET, Switching; VDSS (V): 200; ID (A): 96; Pch : 150; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.02; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: -; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 4900; toff (µs) typ: 0.22; Package: TO-3P
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
S29GL064S70BHI030 功能描述:IC FLASH 64MBIT 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH - NOR 存儲(chǔ)容量:64M（4M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商器件封裝:48-FBGA（8.15x6.15） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:338
S29GL064S70BHI040 功能描述:IC FLASH 64MBIT 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH - NOR 存儲(chǔ)容量:64M（4M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商器件封裝:48-FBGA（8.15x6.15） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:338
S29GL064S70FHI010 功能描述:IC FLASH 64MBIT 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH - NOR 存儲(chǔ)容量:64M（4M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:64-LBGA 供應(yīng)商器件封裝:64-FBGA（11x13） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:180
S29GL064S70FHI020 功能描述:IC FLASH 64MBIT 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH - NOR 存儲(chǔ)容量:64M（4M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:64-LBGA 供應(yīng)商器件封裝:64-FBGA（11x13） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:180
S29GL064S70TFA013 功能描述:IC FLASH 64MBIT 70NS 56TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類型:非易失 存儲(chǔ)器格式:閃存 技術(shù):FLASH - NOR 存儲(chǔ)容量:64Mb （4M x 16） 寫周期時(shí)間 - 字，頁:60ns 訪問時(shí)間:70ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:56-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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