參數(shù)資料
型號： S29GL064N90TFIV20
廠商： SPANSION LLC
元件分類： DRAM
英文描述： 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology
中文描述： 4M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO56
封裝： LEAD FREE, MO-142EC, TSOP-56
文件頁數(shù)： 38/79頁
文件大?。?/td> 2191K
代理商： S29GL064N90TFIV20
38
S29GL-N MirrorBit
Flash Family
S29GL-N_01_09 November 16, 2007
D a t a
S h e e t
Note
CFI data related to V
CC
and time-outs may differ from actual V
CC
and time-outs of the product. Please consult the Ordering Information
tables to obtain the V
CC
range for particular part numbers. Please consult the Erase and Programming Performance table for typical timeout
specifications.
Table 9.2
System Interface String
Addresses (x16)
Addresses (x8)
Data
Description
1Bh
36h
0027h
V
CC
Min. (write/erase)
D7–D4: volt, D3–D0: 100 millivolt
1Ch
38h
0036h
V
CC
Max. (write/erase)
D7–D4: volt, D3–D0: 100 millivolt
1Dh
3Ah
0000h
V
PP
Min. voltage (00h = no V
PP
pin present)
V
PP
Max. voltage (00h = no V
PP
pin present)
Reserved for future use
Typical timeout for Min. size buffer write 2
N
μs
(00h = not supported)
Typical timeout per individual block erase 2
N
ms
Typical timeout for full chip erase 2
N
ms (00h = not supported)
Max. timeout for byte/word program 2
N
times typical.
Max. timeout for buffer write 2
N
times typical
Max. timeout per individual block erase 2
N
times typical
Max. timeout for full chip erase 2
N
times typical
(00h = not supported)
1Eh
3Ch
0000h
1Fh
3Eh
0007h
20h
40h
0007h
21h
42h
000Ah
22h
44h
0000h
23h
46h
0003h
24h
48h
0005h
25h
4Ah
0004h
26h
4Ch
0000h
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S29GL064N90TFIV22 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology
S29GL064N90TFIV60 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology
S29GL064N90TFIV62 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology
S29GL256M10FFIR23 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90BDIR02 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
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參數(shù)描述
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S29GL064S70BHI040 功能描述:IC FLASH 64MBIT 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH - NOR 存儲容量:64M（4M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商器件封裝:48-FBGA（8.15x6.15） 標準包裝:338
S29GL064S70FHI010 功能描述:IC FLASH 64MBIT 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH - NOR 存儲容量:64M（4M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:64-LBGA 供應(yīng)商器件封裝:64-FBGA（11x13） 標準包裝:180
S29GL064S70FHI020 功能描述:IC FLASH 64MBIT 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH - NOR 存儲容量:64M（4M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:64-LBGA 供應(yīng)商器件封裝:64-FBGA（11x13） 標準包裝:180
S29GL064S70TFA013 功能描述:IC FLASH 64MBIT 70NS 56TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:非易失 存儲器格式:閃存 技術(shù):FLASH - NOR 存儲容量:64Mb （4M x 16） 寫周期時間 - 字，頁:60ns 訪問時間:70ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:56-TSOP 標準包裝:1
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