參數資料
型號: S1PB
廠商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類: 二極管(射頻、小信號、開關、功率)
英文描述: 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-220AA
封裝: PLASTIC, SMP, 2 PIN
文件頁數: 3/4頁
文件大?。?/td> 325K
代理商: S1PB
S1PB thru S1PJ
Document Number 88917
10-Nov-05
Vishay General Semiconductor
www.vishay.com
3
Package dimensions in inches (millimeters)
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
Figure 4. Typical Reverse Leakage Characteristics
0.4
0.6
0.8
1.2
1.4
Instantaneous Forward Voltage (V)
0.1
10
1
100
Instantaneo
u
s
For
w
ard
C
u
rrent
(A)
0.01
1.8
2.0
1.0
1.6
TJ = 150
°C
TJ = 25
°C
TJ = 125
°C
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(
A)
20
40
60
80
100
0.1
1
10
100
10
30
50
70
90
0.01
TJ = 25
°C
TJ = 125
°C
TJ = 150
°C
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Figure 5. Typical Junction Capacitance
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capacitance
(pF)
0.1
1
10
100
1
100
1000
0.01
1
10
100
1
10
100
t, Pulse Duration (sec.)
T
ransient
Thermal
Impedance
C/
W
)
0.1
1000
0.000 (0.00)
0.012 (0.30)
0.013 (0.35)
0.004 (0.10)
0.018 (0.45)
0.006 (0.15)
0.045 (1.15)
0.033 (0.85)
0.036 (0.91)
0.024 (0.61)
0.016 (0.40)
0.032 (0.80)
0.053 (1.35)
0.041 (1.05)
0.012 (0.30) REF
0.105
(2.67)
0.025
(0.635)
0.100
(2.54)
0.030
(0.762)
0.050
(1.27)
Cathode band
0.142 (3.61)
0.126 (3.19)
0.158 (4.00)
0.146 (3.70)
0.086 (2.18)
0.074 (1.88)
0.087 (2.20)
0.103 (2.60)
DO-220AA (SMP)
相關PDF資料
PDF描述
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S1PG-HE3 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-220AA
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