- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄365377 > S1M8656A01-E0T0 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) CDMA/AMPS Dual Mode IF/ baseband IC PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | S1M8656A01-E0T0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | CDMA/AMPS Dual Mode IF/ baseband IC |
| 中文描述： | 碼分多址/ AMPS二元雙模式和IF /基帶IC |
| 文件頁數(shù)： | 10/26頁 |
| 文件大小： | 264K |
| 代理商： | S1M8656A01-E0T0 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁當(dāng)前第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁
S1M8656A
RX IF/BBA WITH AGC
10
AC CHARACTERISTICS (Continued)
Characteristic
I/Q Phase
mismatch
Gain flatness
Test Conditions
Symbol
Pmis
Min
-10
Typ
-
Max
10
Unit
DegGft
Phase mismatch between the I and Q signals
between 1kHz to 12kHz.
Amount of gain change along I and Q paths
between 1kHz to 615kHz
Receive VCO pertormance
VCO and buffered
output Frequency
range
VCO phase noise
Tank LC's Q value should be above 20.
Measure @100kHz away from the mid-
frequency.
RXVCO_OUT
output power
-2dB. Connect output load to 50
.
Gft
-1
-
1
db
VCO external time constant and PLL value
Fvco
-
170
500
Mhz
Pvco
-
-
104
dBc/Hz
Select a VCO buffer output value reduced by
Ovco
-15
-
-
dBm
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S1M8656A01-F0T0 | CDMA/AMPS Dual Mode IF/ baseband IC |
| S1M8657 | TX IF/BBA WITH AGC |
| S1M8657X01-E0T0 | TX IF/BBA WITH AGC |
| S1M8657X01-F0T0 | TX IF/BBA WITH AGC |
| S1M8821 | INTERGER RF/IF DUAL PLL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S1M8656A01-F0T0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:CDMA/AMPS Dual Mode IF/ baseband IC |
| S1M8657 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:TX IF/BBA WITH AGC |
| S1M8657X01-E0T0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:TX IF/BBA WITH AGC |
| S1M8657X01-F0T0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:TX IF/BBA WITH AGC |
| S1M8660A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:RX IF / BBA WITH GPS |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。