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參數(shù)資料
| 型號： | S12MSCANV2D |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | MC9S12DT128 Device User Guide V02.09 |
| 中文描述： | MC9S12DT128設備的用戶手冊V02.09 |
| 文件頁數(shù)： | 113/138頁 |
| 文件大?。?/td> | 2083K |
| 代理商： | S12MSCANV2D |
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MC9S12DT128 Device User Guide — V02.09
113
A.3.2 NVM Reliability
The reliability of the NVM blocks is guaranteed by stress test during qualification, constant process
monitors and burn-in to screen early life failures.
The failure rates for data retention and program/erase cycling are specified at the operating conditions
noted.
The program/erase cycle count on the sector is incremented every time a sector or mass erase event is
executed.
Table A-12 NVM Reliability Characteristics
Conditions are shown in
Table A-4
unless otherwise noted
Num C
Rating
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
1
C
Data Retention at an average junction temperature of
T
Javg
= 70
°
C
t
NVMRET
15
Years
2
C Flash number of Program/Erase cycles
n
FLPE
10,000
Cycles
3
C
EEPROM number of Program/Erase cycles
(–40
°
C
≤
T
J
≤
0
°
C)
n
EEPE
10,000
Cycles
4
C
EEPROM number of Program/Erase cycles
(0
°
C < T
J
≤
140
°
C)
n
EEPE
100,000
Cycles
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PDF描述 |
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| S12N3W3C | 制造商:HB 制造商全稱:HB Electronic Components 功能描述:LED |
| S12N3W6C | 制造商:HB 制造商全稱:HB Electronic Components 功能描述:LED |
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