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參數(shù)資料
| 型號： | S-8521F32MC-BPR-T2G |
| 元件分類： | 穩(wěn)壓器 |
| 英文描述： | 0.05 A SWITCHING CONTROLLER, 360 kHz SWITCHING FREQ-MAX, PDSO5 |
| 封裝： | LEAD FREE, SOT-23, 5 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 13/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 511K |
| 代理商： | S-8521F32MC-BPR-T2G |
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STEP-DOWN, PWM CONTROL or PWM / PFM SWITCHABLE SWITCHING REGULATOR CONTROLLER
S-8520/8521 Series
Rev.9.0_00
Seiko Instruments Inc.
20
5. 2
Bipolar PNP type
Figure 11 shows the sample of circuit diagram using Toshiba Corporation 2SA1213 as the bipolar transistor
(PNP). The hFE value and the Rb value of that bipolar transistor determine the driving capacity, which is used for
increasing the output current.
VIN
EXT
VIN
Rb
Cb
Toshiba Corporation
2SA1213
Figure 11
The Rb value is given by the following equation:
Rb =
VIN 0.7
Ib
0.4
IEXTL
Calculate the necessary base current (Ib) using the (hFE) value of bipolar transistor by the equation, Ib =
IPK
hFE
,
and select a smaller Rb value.
A small Rb value increases the output current, but it also decreases efficiency. Determine the optimum value
through experiment, since the base current may flow on the pulse, or voltage may drop due to wiring resistance.
In addition, if speed-up capacitor Cb is connected in parallel with resistor Rb, as shown in Figure 11, the loss in
switching will be reduced, leading to higher efficiency.
Determine the Cb value using the following equation:
Cb ≤
1
2
× π × R
b × fosc × 0.7
Select the Cb value after performing sufficient evaluation since the optimum Cb value differs depending upon the
characteristics of the bipolar transistor.
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| S-8521F36MC-BPVT2G | 功能描述:DC/DC 開關(guān)控制器 StepDOWN SWR PWM/PFM 300kHz 100uA Iq RoHS:否 制造商:Texas Instruments 輸入電壓:6 V to 100 V 開關(guān)頻率: 輸出電壓:1.215 V to 80 V 輸出電流:3.5 A 輸出端數(shù)量:1 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:CPAK |
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