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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S-80724 |
| 廠商： | Seiko Instruments Inc. |
| 英文描述： | 2.4 V±2.4% Adjustment-Free High-Precision Voltage Detector(檢測(cè)范圍2.4 V±2.4%，高精度電壓檢測(cè)器) |
| 中文描述： | 2.4伏± 2.4％免調(diào)整高精度電壓檢測(cè)器（檢測(cè)范圍2.4伏± 2.4％，高精度電壓檢測(cè)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 17/42頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 324K |
| 代理商： | S-80724 |
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HIGH-PRECISION VOLTAGE DETECTOR
S-807 Series
16
Seiko Instruments Inc.
28. S-80738AL/AL-A2-X, S-80738AN/AN-D2-X (Detection voltage : 3.708 to 3.892 V)
(Unless otherwise specified : Ta=25
°
C)
Typ.
Max.
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Unit
Test
circuit
1
1
Detection voltage
Hysteresis width
-V
DET
V
HYS
3.708
-V
DET
×
0.02
1.0
0.23
3.800
-V
DET
×
0.05
1.0
0.50
3.892
-V
DET
×
0.08
3.0
15.0
V
V
Current consumption
Operating voltage
Output current
I
SS
V
DD
I
OUT
V
DD
= 6.0 V
μ
A
V
mA
2
1
3
Nch
V
DS
= 0.5 V
V
DD
= 1.2 V
V
DD
= 2.4 V
V
DD
= 4.8 V
1.60
0.36
3.70
0.62
Pch
output)
V
DS
= 0.5 V
Ta=-30
°
C to 80
°
C
(CMOS
4
Temperature
characteristic of -
V
DET
±
0.48
mV/
°
C
29. S-80739AL/AL-A3-X, S-80739AN/AN-D3-X (Detection voltage : 3.806 to 3.994 V)
(Unless otherwise specified : Ta=25
°
C)
Typ.
Max.
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Unit
Test
circuit
1
1
Detection voltage
Hysteresis width
-V
DET
V
HYS
3.806
-V
DET
×
0.02
1.0
0.23
3.900
-V
DET
×
0.05
1.0
0.50
3.994
-V
DET
×
0.08
3.0
15.0
V
V
Current consumption
Operating voltage
Output current
I
SS
V
DD
I
OUT
V
DD
= 6.0 V
μ
A
V
mA
2
1
3
Nch
V
DS
= 0.5 V
V
DD
= 1.2 V
V
DD
= 2.4 V
V
DD
= 4.8 V
1.60
0.36
3.70
0.62
Pch
output)
V
DS
= 0.5 V
Ta=-30
°
C to 80
°
C
(CMOS
4
Temperature
characteristic of -
V
DET
±
0.49
mV/
°
C
30. S-80740AL/AL-A4-X, S-80740AN/AN-D4-X
S-80740SL-A4-X, S-80740SN-D4-X (Detection voltage : 3.904 to 4.096 V)
(Unless otherwise specified : Ta=25
°
C)
Typ.
Max.
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Unit
Test
circuit
1
1
Detection voltage
Hysteresis width
-V
DET
V
HYS
3.904
-V
DET
×
0.02
1.0
0.23
4.00
-V
DET
×
0.05
1.0
0.50
4.096
-V
DET
×
0.08
3.0
15.0
V
V
Current consumption
Operating voltage
Output current
I
SS
V
DD
I
OUT
V
DD
= 6.0 V
μ
A
V
mA
2
1
3
Nch
V
DS
= 0.5 V
V
DD
= 1.2 V
V
DD
= 2.4 V
V
DD
= 3.6 V
V
DD
= 6.0 V
1.60
3.18
0.46
3.70
7.00
0.75
Pch
output)
V
DS
= 0.5 V
Ta=-30
°
C to 80
°
C
(CMOS
4
Temperature
characteristic of -
V
DET
±
0.5
mV/
°
C
-V
DET
Ta
-V
DET
Ta
-V
DET
Ta
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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