參數(shù)資料
型號： S-80724
廠商： Seiko Instruments Inc.
英文描述： 2.4 V±2.4% Adjustment-Free High-Precision Voltage Detector(檢測范圍2.4 V±2.4%，高精度電壓檢測器)
中文描述： 2.4伏± 2.4％免調(diào)整高精度電壓檢測器（檢測范圍2.4伏± 2.4％，高精度電壓檢測器）
文件頁數(shù)： 13/42頁
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代理商： S-80724
HIGH-PRECISION VOLTAGE DETECTOR
S-807 Series
12
Seiko Instruments Inc.
16. S-80728AL-AR-X, S-80728AN/AN-DR-X
S-80728SL-AR-X, S-80728SN-DR-X (Detection voltage : 2.732 to 2.868 V)
(Unless otherwise specified : Ta=25
°
C)
Typ.
Max.
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Unit
Test
circuit
1
1
Detection voltage
Hysteresis width
-V
DET
V
HYS
2.732
-V
DET
×
0.02
1.0
0.23
2.800
-V
DET
×
0.05
1.0
0.50
2.868
-V
DET
×
0.08
3.0
15.0
V
V
Current consumption
Operating voltage
Output current
I
SS
V
DD
I
OUT
V
DD
= 4.5 V
μ
A
V
mA
2
1
3
Nch
V
DS
= 0.5 V
V
DD
= 1.2 V
V
DD
= 2.4 V
V
DD
= 4.8 V
1.60
0.36
3.70
0.62
Pch
output)
V
DS
= 0.5 V
Ta=-30
°
C to 80
°
C
(CMOS
4
Temperature
characteristic of -
V
DET
±
0.35
mV/
°
C
17. S-80729AL/AL-AS-X, S-80729AN-DS-X (Detection voltage : 2.830 to 2.970 V)
(Unless otherwise specified : Ta=25
°
C)
Typ.
Max.
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Unit
Test
circuit
1
1
Detection voltage
Hysteresis width
-V
DET
V
HYS
2.830
-V
×
0.02
1.0
0.23
2.900
-V
×
0.05
1.0
0.50
2.970
-V
×
0.08
3.0
15.0
V
V
Current consumption
Operating voltage
Output current
I
SS
V
DD
I
OUT
V
DD
= 4.5 V
μ
A
V
mA
2
1
3
Nch
V
DS
= 0.5 V
V
DD
= 1.2 V
V
DD
= 2.4 V
V
DD
= 4.8 V
1.60
0.36
3.70
0.62
Pch
output)
V
DS
= 0.5 V
Ta=-30
°
C to 80
°
C
(CMOS
4
Temperature
characteristic of -
V
DET
±
0.36
mV/
°
C
18. S-80730AL/AL-AT-X, S-80730AN/AN-DT-X
S-80730SL-AT-X, S-80730SN-DT-X (Detection voltage : 2.928 to 3.072 V)
(Unless otherwise specified : Ta=25
°
C)
Typ.
Max.
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Unit
Test
circuit
1
1
Detection voltage
Hysteresis width
-V
DET
V
HYS
2.928
-V
DET
×
0.02
1.0
0.23
3.000
-V
DET
×
0.05
1.0
0.50
3.072
-V
DET
×
0.08
3.0
15.0
V
V
Current consumption
Operating voltage
Output current
I
SS
V
DD
I
OUT
V
DD
= 4.5 V
μ
A
V
mA
2
1
3
Nch
V
DS
= 0.5 V
V
DD
= 1.2 V
V
DD
= 2.4 V
V
DD
= 4.8 V
1.60
0.36
3.70
0.62
Pch
output)
V
DS
= 0.5 V
Ta=-30
°
C to 80
°
C
(CMOS
4
Temperature
characteristic of -
V
DET
±
0.38
mV/
°
C
-V
DET
Ta
-V
DET
Ta
-V
DET
Ta
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