參數(shù)資料
型號(hào)： S-80718
廠商： Seiko Instruments Inc.
英文描述： 1.8 V±2.4% Adjustment-Free High-Precision Voltage Detector(檢測(cè)范圍1.8 V±2.4%，高精度電壓檢測(cè)器)
中文描述： 1.8伏± 2.4％免調(diào)整高精度電壓檢測(cè)器（檢測(cè)范圍1.8伏± 2.4％，高精度電壓檢測(cè)器）
文件頁(yè)數(shù)： 21/42頁(yè)
文件大?。?/td> 324K
代理商： S-80718
HIGH-PRECISION VOLTAGE DETECTOR
S-807 Series
20
Seiko Instruments Inc.
40. S-80747AL/AL-EB-X, S-80747AN-JB-X (Detection voltage : 4.587 to 4.813 V)
(Unless otherwise specified : Ta=25
°
C)
Typ.
Max.
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Unit
Test
circuit
1
1
Detection voltage
Hysteresis width
-V
DET
V
HYS
4.587
-V
DET
×
0.02
1.0
0.23
4.700
-V
DET
×
0.05
1.0
0.50
4.813
-V
DET
×
0.08
3.0
15.0
V
V
Current consumption
Operating voltage
Output current
I
SS
V
DD
I
OUT
V
DD
= 6.0 V
μ
A
V
mA
2
1
3
Nch
V
DS
= 0.5 V
V
DD
= 1.2 V
V
DD
= 2.4 V
V
DD
= 3.6 V
V
DD
= 6.0 V
1.60
3.18
0.46
3.70
7.00
0.75
Pch
output)
V
DS
= 0.5 V
Ta=-30
°
C to 80
°
C
(CMOS
4
Temperature
characteristic of -
V
DET
±
0.59
mV/
°
C
41. S-80748AL-EC-X, S-80748AN/AN-JC-X (Detection voltage : 4.684 to 4.916 V)
(Unless otherwise specified : Ta=25
°
C)
Typ.
Max.
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Unit
Test
circuit
1
1
Detection voltage
Hysteresis width
-V
DET
V
HYS
4.684
-V
DET
×
0.02
1.0
0.23
4.800
-V
DET
×
0.05
1.0
0.50
4.916
-V
DET
×
0.08
3.0
15.0
V
V
Current consumption
Operating voltage
Output current
I
SS
V
DD
I
OUT
V
DD
= 6.0 V
μ
A
V
mA
2
1
3
Nch
V
DS
= 0.5 V
V
DD
= 1.2 V
V
DD
= 2.4 V
V
DD
= 3.6 V
V
DD
= 6.0 V
1.60
3.18
0.46
3.70
7.00
0.75
Pch
output)
V
DS
= 0.5 V
Ta=-30
°
C to 80
°
C
(CMOS
4
Temperature
characteristic of -
V
DET
±
0.60
mV/
°
C
42. S-80749AL-ED-X, S-80749AN-JD-X (Detection voltage : 4.782 to 5.018 V)
(Unless otherwise specified : Ta=25
°
C)
Typ.
Max.
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Unit
Test
circuit
1
1
Detection voltage
Hysteresis width
-V
DET
V
HYS
4.782
-V
DET
×
0.02
1.0
0.23
4.900
-V
DET
×
0.05
1.0
0.50
5.018
-V
DET
×
0.08
3.0
15.0
V
V
Current consumption
Operating voltage
Output current
I
SS
V
DD
I
OUT
V
DD
= 6.0 V
μ
A
V
mA
2
1
3
Nch
V
DS
= 0.5 V
V
DD
= 1.2 V
V
DD
= 2.4 V
V
DD
= 3.6 V
V
DD
= 6.0 V
1.60
3.18
0.46
3.70
7.00
0.75
Pch
output)
V
DS
= 0.5 V
Ta=-30
°
C to 80
°
C
(CMOS
4
Temperature
characteristic of -
V
DET
±
0.61
mV/
°
C
-V
DET
Ta
-V
DET
Ta
-V
DET
Ta
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