參數(shù)資料
型號(hào)： S-80718
廠商： Seiko Instruments Inc.
英文描述： 1.8 V±2.4% Adjustment-Free High-Precision Voltage Detector(檢測(cè)范圍1.8 V±2.4%，高精度電壓檢測(cè)器)
中文描述： 1.8伏± 2.4％免調(diào)整高精度電壓檢測(cè)器（檢測(cè)范圍1.8伏± 2.4％，高精度電壓檢測(cè)器）
文件頁(yè)數(shù)： 15/42頁(yè)
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代理商： S-80718
HIGH-PRECISION VOLTAGE DETECTOR
S-807 Series
14
Seiko Instruments Inc.
22. S-80733AL/AL-AX-X, S-80733AN/AN-DX-X
S-80733SL-AX-X, S-80733SN-DX-X (Detection voltage : 3.220 to 3.380 V)
(Unless otherwise specified : Ta=25
°
C)
Typ.
Max.
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Unit
Test
circuit
1
1
Detection voltage
Hysteresis width
-V
DET
V
HYS
3.220
-V
DET
×
0.02
1.0
0.23
3.300
-V
DET
×
0.05
1.0
0.50
3.380
-V
DET
×
0.08
3.0
15.0
V
V
Current consumption
Operating voltage
Output current
I
SS
V
DD
I
OUT
V
DD
= 4.5 V
μ
A
V
mA
2
1
3
Nch
V
DS
= 0.5 V
V
DD
= 1.2 V
V
DD
= 2.4 V
V
DD
= 4.8 V
1.60
0.36
3.70
0.62
Pch
output)
V
DS
= 0.5 V
Ta=-30
°
C to 80
°
C
(CMOS
4
Temperature
characteristic of -
V
DET
±
0.41
mV/
°
C
23. S-80733AH (Detection voltage : 3.220 to 3.380 V)
(Unless otherwise specified : Ta=25
°
C)
Typ.
Max.
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Unit
Test
circuit
1
1
Detection voltage
Hysteresis width
-V
DET
V
HYS
3.220
-V
×
0.02
1.0
0.03
3.300
-V
×
0.05
1.0
0.09
3.380
-V
×
0.08
3.0
15.0
V
V
Current consumption
Operating voltage
Output current
I
SS
V
DD
I
OUT
V
DD
= 4.5 V
μ
A
V
mA
2
1
4
Pch
V
DS
= 0.5 V
V
DD
= 1.2 V
V
DD
= 2.4 V
V
DD
= 4.8 V
0.15
4.06
0.30
8.36
Nch
V
DS
= 0.5 V
Ta=-30
°
C to 80
°
C
3
Temperature
characteristic of -
V
DET
±
0.41
mV/
°
C
24. S-80734AL/AL-AY-X, S-80734AN/AN-DY-X (Detection voltage : 3.318 to 3.482 V)
(Unless otherwise specified : Ta=25
°
C)
Typ.
Max.
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Unit
Test
circuit
1
1
Detection voltage
Hysteresis width
-V
DET
V
HYS
3.318
-V
DET
×
0.02
1.0
0.23
3.400
-V
DET
×
0.05
1.0
0.50
3.482
-V
DET
×
0.08
3.0
15.0
V
V
Current consumption
Operating voltage
Output current
I
SS
V
DD
I
OUT
V
DD
= 4.5 V
μ
A
V
mA
2
1
3
Nch
V
DS
= 0.5 V
V
DD
= 1.2 V
V
DD
= 2.4 V
V
DD
= 4.8 V
1.60
0.36
3.70
0.62
Pch
output)
V
DS
= 0.5 V
Ta=-30
°
C to 80
°
C
(CMOS
4
Temperature
characteristic of -
V
DET
±
0.43
mV/
°
C
-V
DET
Ta
-V
DET
Ta
-V
DET
Ta
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