參數(shù)資料
型號(hào)： S-80717
廠商： Seiko Instruments Inc.
英文描述： 1.7 V±2.4% Adjustment-Free High-Precision Voltage Detector(檢測(cè)范圍1.7 V±2.4%，高精度電壓檢測(cè)器)
中文描述： 為1.7 V ± 2.4％免調(diào)整高精度電壓檢測(cè)器（檢測(cè)范圍為1.7 V ± 2.4％，高精度電壓檢測(cè)器）
文件頁數(shù)： 16/42頁
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代理商： S-80717
HIGH-PRECISION VOLTAGE DETECTOR
S-807 Series
Seiko Instruments Inc.
15
25. S-80735AL/AL-AZ-X, S-80735AN/AN-DZ-X
S-80735SL-AZ-X, S-80735SN-DZ-X (Detection voltage : 3.416 to 3.584 V)
(Unless otherwise specified : Ta=25
°
C)
Typ.
Max.
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Unit
Test
circuit
1
1
Detection voltage
Hysteresis width
-V
DET
V
HYS
3.416
-V
DET
×
0.02
1.0
0.23
3.500
-V
DET
×
0.05
1.0
0.50
3.584
-V
DET
×
0.08
3.0
15.0
V
V
Current consumption
Operating voltage
Output current
I
SS
V
DD
I
OUT
V
DD
= 4.5 V
μ
A
V
mA
2
1
3
Nch
V
DS
= 0.5 V
V
DD
= 1.2 V
V
DD
= 2.4 V
V
DD
= 4.8 V
1.60
0.36
3.70
0.62
Pch
output)
V
DS
= 0.5 V
Ta=-30
°
C to 80
°
C
(CMOS
4
Temperature
characteristic of -
V
DET
±
0.44
mV/
°
C
26. S-80736AL-A0-X, S-80736AN/AN-D0-X (Detection voltage : 3.513 to 3.687 V)
(Unless otherwise specified : Ta=25
°
C)
Typ.
Max.
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Unit
Test
circuit
1
1
Detection voltage
Hysteresis width
-V
DET
V
HYS
3.513
-V
DET
×
0.02
1.0
0.23
3.600
-V
DET
×
0.05
1.0
0.50
3.687
-V
DET
×
0.08
3.0
15.0
V
V
Current consumption
Operating voltage
Output current
I
SS
V
DD
I
OUT
V
DD
= 4.5 V
μ
A
V
mA
2
1
3
Nch
V
DS
= 0.5 V
V
DD
= 1.2 V
V
DD
= 2.4 V
V
DD
= 4.8 V
1.60
0.36
3.70
0.62
Pch
output)
V
DS
= 0.5 V
Ta=-30
°
C to 80
°
C
(CMOS
4
Temperature
characteristic of -
V
DET
±
0.45
mV/
°
C
27. S-80737AL/AL-A1-X, S-80737AN/AN-D1-X (Detection voltage : 3.611 to 3.789 V)
(Unless otherwise specified : Ta=25
°
C)
Typ.
Max.
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Unit
Test
circuit
1
1
Detection voltage
Hysteresis width
-V
DET
V
HYS
3.611
-V
×
0.02
1.0
0.23
3.700
-V
×
0.05
1.0
0.50
3.789
-V
×
0.08
3.0
15.0
V
V
Current consumption
Operating voltage
Output current
I
SS
V
DD
I
OUT
V
DD
= 6.0 V
μ
A
V
mA
2
1
3
Nch
V
DS
= 0.5 V
V
DD
= 1.2 V
V
DD
= 2.4 V
V
DD
= 4.8 V
1.60
0.36
3.70
0.62
Pch
output)
V
DS
= 0.5 V
Ta=-30
°
C to 80
°
C
(CMOS
4
Temperature
characteristic of -
V
DET
±
0.46
mV/
°
C
-V
DET
Ta
-V
DET
Ta
-V
DET
Ta
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