參數(shù)資料
型號(hào)： S-80717
廠商： Seiko Instruments Inc.
英文描述： 1.7 V±2.4% Adjustment-Free High-Precision Voltage Detector(檢測(cè)范圍1.7 V±2.4%，高精度電壓檢測(cè)器)
中文描述： 為1.7 V ± 2.4％免調(diào)整高精度電壓檢測(cè)器（檢測(cè)范圍為1.7 V ± 2.4％，高精度電壓檢測(cè)器）
文件頁(yè)數(shù)： 14/42頁(yè)
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代理商： S-80717
HIGH-PRECISION VOLTAGE DETECTOR
S-807 Series
Seiko Instruments Inc.
13
19. S-80731AL/AL-AV-X, S-80731AN/AN-DV-X (Detection voltage : 3.025 to 3.175 V)
(Unless otherwise specified : Ta=25
°
C)
Max.
Unit
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Typ.
Test
circuit
1
1
Detection voltage
Hysteresis width
-V
DET
V
HYS
3.025
-V
DET
×
0.02
1.0
0.23
3.100
-V
DET
×
0.05
1.0
0.50
3.175
-V
DET
×
0.08
3.0
15.0
V
V
Current consumption
Operating voltage
Output current
I
SS
V
DD
I
OUT
V
DD
= 4.5 V
μ
A
V
mA
2
1
3
Nch
V
DS
= 0.5 V
V
DD
= 1.2 V
V
DD
= 2.4 V
V
DD
= 4.8 V
1.60
0.36
3.70
0.62
Pch
output)
V
DS
= 0.5 V
Ta=-30
°
C to 80
°
C
(CMOS
4
Temperature
characteristic of -
V
DET
±
0.39
mV/
°
C
20. S-80731AH/AH-BV-X (Detection voltage : 3.025 to 3.175 V)
(Unless otherwise specified : Ta=25
°
C)
Max.
Unit
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Typ.
Test
circuit
1
1
Detection voltage
Hysteresis width
-V
DET
V
HYS
3.025
-V
DET
×
0.02
1.0
0.03
3.100
-V
DET
×
0.05
1.0
0.09
3.175
-V
DET
×
0.08
3.0
15.0
V
V
Current consumption
Operating voltage
Output current
I
SS
V
DD
I
OUT
V
DD
= 4.5 V
μ
A
V
mA
2
1
4
Pch
V
DS
= 0.5 V
V
DD
= 1.2 V
V
DD
= 2.4 V
V
DD
= 4.8 V
0.15
4.06
0.30
8.36
Nch
V
DS
= 0.5 V
Ta=-30
°
C to 80
°
C
3
Temperature
characteristic of -
V
DET
±
0.39
mV/
°
C
21. S-80732AL/AL-AW-X, S-80732AN/AN-DW-X, S-80732SL-AW-X (Detection voltage : 3.123 to 3.277 V)
(Unless otherwise specified : Ta=25
°
C)
Typ.
Max.
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Unit
Test
circuit
1
1
Detection voltage
Hysteresis width
-V
DET
V
HYS
3.123
-V
×
0.02
1.0
0.23
3.200
-V
×
0.05
1.0
0.50
3.277
-V
×
0.08
3.0
15.0
V
V
Current consumption
Operating voltage
Output current
I
SS
V
DD
I
OUT
V
DD
= 4.5 V
μ
A
V
mA
2
1
3
Nch
V
DS
= 0.5 V
V
DD
= 1.2 V
V
DD
= 2.4 V
V
DD
= 4.8 V
1.60
0.36
3.70
0.62
Pch
output)
V
DS
= 0.5 V
Ta=-30
°
C to 80
°
C
(CMOS
4
Temperature
characteristic of -
V
DET
±
0.40
mV/
°
C
-V
DET
Ta
-V
DET
Ta
-V
DET
Ta
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