參數(shù)資料
型號： RZ1214B65Y_3
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： NPN Microwave power transistor(NPN 微波功率晶體管)
中文描述： npn型微波功率晶體管（npn型微波功率晶體管）
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 57K
代理商： RZ1214B65Y_3
1999 Dec 24
6
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
RZ1214B65Y
PACKAGE OUTLINE
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT443A
99-03-29
0
5
10 mm
scale
Flanged hermetic ceramic package; 2 mounting holes; 2 leads
SOT443A
0.15
0.09
3.20
2.90
10.00
9.70
1.60
1.40
6.25
5.75
DIMENSIONS (millimetre dimensions are derived from the original inch dimensions)
3.40
3.20
6.32
4.90
3.66
2.84
D
D1
q
U1
1
3
2
A
U2
E1
E
p
b
Q
F
c
UNIT
Q
c
D
10.21
9.91
E1
D1
8.15
7.85
E
F
L
p
q
mm
b
16.50
23.10
22.70
U2
U1
9.90
9.70
0.41
w1
0.94
0.006
0.004
0.126
0.114
0.394
0.382
10.21
9.91
0.402
0.390
0.063
0.055
0.246
0.226
0.134
0.126
0.249
0.193
0.144
0.112
0.402
0.390
0.321
0.309
inches
0.650
0.909
0.894
0.390
0.382
0.016
0.037
w2
A
M
M
C
C
w1
w2
A
B
M
M
M
A
B
L
L
相關PDF資料
PDF描述
RZ1214B65Y NPN microwave power transistor
RZ2731B16W TRANSISTOR | BJT | NPN | 1.4A I(C) | FO-57D
RZ2731B32W TRANSISTOR | BJT | NPN | 2.8A I(C) | FO-57D
RZ2731B48W TRANSISTOR | BJT | NPN | 4.2A I(C) | FO-57D
RZ2731B60W TRANSISTOR | BJT | NPN | 5.7A I(C) | FO-57D
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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RZ1-2300D 制造商:Power Acoustik 功能描述:Razor Series 1400W Monoblock Autosound Compact Amplifier 制造商:POWER ACOUSTIK 功能描述:AUTOSOUND COMPACT AMPLIFIER RAZOR SERIES 1400W MONOBLOCK
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