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參數(shù)資料
| 型號： | RX1214B170W |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Microwave power transistor(微波功率晶體管) |
| 中文描述： | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | METAL CERAMIC, SOT-439A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 74K |
| 代理商： | RX1214B170W |
1997 Feb 18
4
Philips Semiconductors
Product specification
Microwave power transistor
RX1214B170W
THERMAL CHARACTERISTICS
Notes
1.
2.
See “Mounting recommendations in the General part of handbook SC19a”.
Equivalent thermal impedance under pulsed microwave operating conditions.
CHARACTERISTICS
T
mb
= 25
°
C unless otherwise specified.
APPLICATION INFORMATION
Microwave performance up to T
mb
= 25
°
C in a common-base test circuit as shown in Fig.3; note 1.
Note
1.
Equivalent thermal impedance under pulsed microwave operating conditions.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
T
j
= 120
°
C
MAX.
UNIT
R
th j-mb
R
th mb-h
Z
th
thermal resistance from junction to mounting base
thermal resistance from mounting base to heatsink note 1
thermal impedance from junction to heatsink
1.9
0.2
0.28
K/W
K/W
K/W
t
p
= 500
μ
s;
δ
= 10%;
notes 1 and 2
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
I
CBO
I
EBO
V
(BR)CES
collector cut-off current
emitter cut-off current
collector-emitter breakdown voltage
I
E
= 0; V
CB
= 50 V
I
C
= 0; V
EB
= 1.5 V
I
C
= 60 mA; V
BE
= 0
65
20
2
mA
mA
V
MODE OF
OPERATION
CONDITIONS
f
(GHz)
V
CC
(V)
P
L
(W)
G
p
(dB)
≥
6.7
typ. 7.2
η
C
(%)
≥
40
typ. 45
Class C
t
p
= 500
μ
s;
δ
= 10%
1.2 to 1.4
42
170
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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