參數(shù)資料
型號： RN6001
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
中文描述： 東芝npn型晶體管硅外延型（厘進(jìn)程）
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 90K
代理商： RN6001
RN6001
2001-10-29
2
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Test
Circuit
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-offcurrent
I
CBO
―
V
CB
=
30V, I
E
= 0
―
―
0.1
μA
Emitter cut-off current
I
EBO
―
V
EB
=
5V, I
C
= 0
1.92
2.5
3.57
mA
Collector-emitter breakdown voltage
V
(BR)CES
―
I
C
=
10mA
30
―
―
V
h
FE (1)
V
CE
=
2V, I
C
=
0.5A
100
―
320
DC current gain
h
FE (2)
―
V
CE
=
2V, I
C
=
2.0A
50
―
―
―
Collector-emitter saturation voltage
V
CE (sat)
―
I
C
=
1A, I
B
=
0.05A
―
―
0.5
V
Base-emitter saturation voltage
V
BE (sat)
―
I
C
=
1A, I
B
=
0.05A
―
―
1.2
V
Transition frequency
f
T
―
V
CE
=
2V, I
C
=
0.5A
―
120
―
MHz
Collector output capacitance
C
ob
―
V
CB
=
10V, I
E
= 0, f = 1 MHz
―
40
―
pF
Resistor
R
―
―
1.4
2.0
2.6
k
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RN6006 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RNA50C27AUS CMOS System-Reset IC
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參數(shù)描述
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