參數(shù)資料
型號： RN4987FE
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Transistor Silicon NPN·PNP Epitaxial Type
中文描述： 東芝晶體硅npn型·進步黨外延式
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 153K
代理商： RN4987FE
RN4987
2001-06-07
2
Q1, Q2 Common Maximum Ratings
(Ta = 25 C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector power dissipation
P
C
*
200
mW
Junction temperature
T
j
150
C
Storage temperature range
T
stg
55~150
C
*
: Total rating
Marking
Equivalent Circuit
(Top View)
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PDF描述
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參數(shù)描述
RN4987FE(TE85L,F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistors NPN/PNP 50V 0.1A 10/47k ES6
RN4987FS 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 10K x 47Kohms Polarity=NPN+PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
RN4987FS(T5L,F,T) 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50volts 6Pin 10K x 47Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
RN4987FS(TPL3) 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 10K x 47Kohms Polarity=NPN+PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
RN4987T5LFT 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 X34 Pb-F US6 PLN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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