參數(shù)資料
型號(hào)： RN4962FE
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Transistor Silicon NPN·PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)
中文描述： 東芝晶體硅npn型·進(jìn)步黨外延型（厘進(jìn)程）（偏置電阻內(nèi)置晶體管）
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 94K
代理商： RN4962FE
RN4962FE
2002-01-31
2
Maximum Ratings
(Ta 25°C) (Q1)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
50
V
Collector-emitter voltage
V
CEO
50
V
Emitter-base voltage
V
EBO
10
V
Collector current
I
C
100
mA
Maximum Ratings
(Ta 25°C) (Q2)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
50
V
Collector-emitter voltage
V
CEO
50
V
Emitter-base voltage
V
EBO
10
V
Collector current
I
C
100
mA
Maximum Ratings
(Ta 25°C) (Q1, Q2 common)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector power dissipation
P
C
(Note)
100
mW
Junction temperature
T
j
150
°C
Storage temperature range
T
stg
55~150
°C
Note: Total rating
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PDF描述
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