參數(shù)資料
型號(hào)： RN2407
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
中文描述： 東芝晶體硅外延式進(jìn)步黨（厘進(jìn)程）
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大小： 170K
代理商： RN2407
RN2407~RN2409
2001-06-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
RN2407,RN2408,RN2409
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
And Driver Circuit Applications
With built-in bias resistors
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Complementary to RN1407~1409
Equivalent Circuit
Maximum Ratings
(Ta = 25 C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
50
V
Collector-emitter voltage
RN2407~RN2409
V
CEO
50
V
RN2407
6
RN2408
7
Emitter-base voltage
RN2409
V
EBO
15
V
Collector current
I
C
100
mA
Collector power dissipation
P
C
200
mW
Junction temperature
T
j
150
C
Storage temperature range
RN2407~RN2409
T
stg
5~150
C
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
Weight: 0.012g
TO-236MOD
SC-59
2-3F1A
Unit: mm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RN2408 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
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RN2416 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
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參數(shù)描述
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