參數(shù)資料
型號(hào)： RN2309
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
中文描述： 開(kāi)關(guān)，逆變電路，接口電路及驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大?。?/td> 171K
代理商： RN2309
RN2307~RN2309
2001-06-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
RN2307,RN2308,RN2309
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
And Driver Circuit Applications
With built-in bias resistors
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Complementary to RN1307~RN1309
Equivalent Circuit
Bias Resistor Values
Maximum Ratings
(Ta
=
25 C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
50
V
Collector-emitter voltage
V
CEO
50
V
RN2307
6
RN2308
7
Emitter-base voltage
RN2309
V
EBO
15
V
Collector current
I
C
100
mA
Collector power dissipation
P
C
100
mW
Junction temperature
T
j
150
C
Storage temperature range
T
stg
55~150
C
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
Weight: 0.006g
―
SC-70
2-2E1A
Type No.
R1 (k
)
R2 (k
)
RN2307
10
47
RN2308
22
47
RN2309
47
22
Unit: mm
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PDF描述
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參數(shù)描述
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RN2310 制造商:TOSHIBA 制造商全稱(chēng):Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
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RN2311 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:SMALL SIGNAL TRANSISTOR
RN2311(TE85L,F) 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA -50volts 3Pin 10Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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