參數(shù)資料
型號(hào)： RN2310
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
中文描述： 東芝晶體硅外延式進(jìn)步黨（厘進(jìn)程）
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 163K
代理商： RN2310
RN2310,RN2311
2001-06-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
RN2310,RN2311
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
And Driver Circuit Applications
With built-in bias resistors
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Complementary to RN1310, RN1311
Equivalent Circuit
Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characterisstic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
50
V
Collector-emitter voltage
V
CEO
50
V
Emitter-base voltage
V
EBO
5
V
Collector current
I
C
100
mA
Collector power dissipation
P
C
100
mW
Junction temperature
T
j
150
°C
Storage temperature range
T
stg
55~150
°C
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Test
Circuit
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
I
CBO
―
V
CB
=
50V, I
E
= 0
―
―
100
nA
Emitter cut-off current
I
EBO
―
V
EB
=
5V, I
C
= 0
―
―
100
nA
DC current gain
h
FE
―
V
CE
=
5V, I
C
=
1mA
120
―
400
―
Collector-emitter saturation voltage
V
CE (sat)
―
I
C
=
5mA, I
B
=
0.25mA
―
0.1
0.3
V
Translation Frequency
f
T
―
V
CE
=
10V, I
C
=
5mA
―
200
―
MHz
Collector output capacitance
C
ob
―
V
CB
=
10V, I
E
= 0, f = 1MHz
―
3
6
pF
RN2310
3.29
4.7
6.11
Input resistor
RN2311
R1
―
―
7
10
13
k
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
Weight: 0.006g
―
SC-70
2-2E1A
Unit: mm
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PDF描述
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RN2311TE85L 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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