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參數(shù)資料
| 型號： | RN2208 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) |
| 中文描述： | 東芝晶體硅外延式進(jìn)步黨（厘進(jìn)程） |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 173K |
| 代理商： | RN2208 |
RN2207~RN2209
2001-06-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
RN2207,RN2208,RN2209
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
And Driver Circuit Applications
With built-in bias resistors
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Complementary to RN1207~RN1209
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
Maximum Ratings
(Ta = 25 C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
50
V
Collector-emitter voltage
V
CEO
50
V
RN2207
6
RN2208
7
Emitter-base voltage
RN2209
V
EBO
15
V
Collector current
I
C
100
mA
Collector power dissipation
P
C
300
mW
Junction temperature
T
j
150
C
Storage temperature range
T
stg
55~150
C
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
Weight: 0.13g
―
―
2-4E1A
Unit: mm
Type No.
R1 (k
)
R2 (k
)
RN2207
10
47
RN2208
22
47
RN2209
47
22
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RN2207 | TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) |
| RN2303 | TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) |
| RN2301 | TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) |
| RN2302 | TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) |
| RN2304 | TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RN22082 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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| RN-220XP | 功能描述:藍(lán)牙/802.15.1 模塊 BluePortXP Serial Adapter w/batt pwr RoHS:否 制造商:Murata Wireless Solutions 類:1 頻帶:2402 MHz to 2480 MHz 靈敏度:- 92 dBm 數(shù)據(jù)速率: 工作電源電壓:2.2 V to 3.3 V 輸出功率: 接口類型:PCM, UART 天線連接器類型:Chip 最大工作溫度:+ 85 C 尺寸:17.5 mm x 16 mm x 2 mm |
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