參數(shù)資料
型號： RN2301
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
中文描述： 東芝晶體硅外延式進步黨（厘進程）
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大小： 261K
代理商： RN2301
RN2301~RN2306
2001-06-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
RN2301,RN2302,RN2303
RN2304,RN2305,RN2306
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
And Driver Circuit Applications
With built-in bias resistors
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Complementary to RN1301~1306
Equivalent Circuit
Bias Resistor Values
Maximum Ratings
(Ta = 25 C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
50
V
Collector-emitter voltage
RN2301~2306
V
CEO
50
V
RN2301~2304
10
Emitter-base voltage
RN2305, 2306
V
EBO
5
V
Collector current
I
C
100
mA
Collector power dissipation
P
C
100
mW
Junction temperature
T
j
150
C
Storage temperature range
RN2301~2306
T
stg
55~150
C
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
Weight: 0.006g
―
SC-70
2-2E1A
Type No.
R1 (k
)
R2 (k
)
RN2301
4.7
4.7
RN2302
10
10
RN2303
22
22
RN2304
47
47
RN2305
2.2
47
RN2306
4.7
47
Unit: mm
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PDF描述
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RN2302 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 -100mA -50volts 10K x 10Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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