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參數(shù)資料
| 型號： | RN1406 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications |
| 中文描述： | 開關，逆變電路，接口電路及驅(qū)動電路應用 |
| 文件頁數(shù)： | 1/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 253K |
| 代理商： | RN1406 |
RN1401,RN1402,RN1403,RN1404,RN1405,RN1406
2001-06-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1401,RN1402,RN1403
RN1404,RN1405,RN1406
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
And Driver Circuit Applications
With built-in bias resistors
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Complementary to RN2401~RN2406
Equivalent Circuit and Bias Resister Values
Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
50
V
Collector-emitter voltage
RN1401~1406
V
CEO
50
V
RN1401~1404
10
Emitter-base voltage
RN1405, 1406
V
EBO
5
V
Collector current
I
C
100
mA
Collector power dissipation
P
C
200
mW
Junction temperature
T
j
150
°C
Storage temperature range
RN1401~1406
T
stg
55~150
°C
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
Weight: 0.012g
TO-236MOD
SC-59
2-3F1A
Unit: mm
Type No.
R1 (k
R2 (k
RN1401
4.7
4.7
RN1402
10
10
RN1403
22
22
RN1404
47
47
RN1405
2.2
47
RN1406
4.7
47
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| RN1406S,LF | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 200mW 4.7k RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| RN1406T5LFT | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 NPN 50V 0.1A TRANSISTOR LOG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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