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參數(shù)資料
| 型號： | RN1211 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
| 中文描述： | 東芝npn型晶體管硅外延型（厘進程） |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 165K |
| 代理商： | RN1211 |
RN1210,RN1211
2001-06-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1210,RN1211
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
And Driver Circuit Applications
With built-in bias resistors.
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Complementary to RN2210, RN2211
Equivalent Circuit
Maximum Ratings
(Ta
=
25 C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
50
V
Collector-emitter voltage
V
CEO
50
V
Emitter-base voltage
V
EBO
5
V
Collector current
I
c
100
mA
Collector power dissipation
P
c
300
mW
Junction temperature
T
j
150
C
Storage temperature range
T
stg
55~150
C
Electrical Characteristics
(Ta
=
25 C)
Characteristic
Symbol
Test
Circuit
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
I
CBO
―
V
CB
= 50V, I
E
= 0
―
―
100
nA
Emitter cut-off current
I
EBO
―
V
EB
= 5V, I
C
= 0
―
―
100
nA
DC current gain
h
FE
―
V
CE
= 5V, I
C
= 1mA
120
―
700
―
Collector-emitter saturation voltage
V
CE (sat)
―
I
C
= 5mA, I
B
= 0.25mA
―
0.1
0.3
V
Translation frequency
f
T
―
V
CE
= 10V, I
C
= 5mA
―
250
―
MHz
Collector output capacitance
C
ob
―
V
CB
=
10V, I
E
= 0, f = 1MHz
―
3
6
pF
RN1210
―
3.29
4.7
6.11
Input resistor
RN1211
R1
―
―
7
10
13
k
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
Weight: 0.13g
―
―
2-4E1A
Unit: mm
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| RN1221 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
| RN1222 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
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