參數(shù)資料
型號(hào)： RMPA2059
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 衰減器
英文描述： WCDMA PowerEdge Power Amplifier Module
中文描述： 1920 MHz - 1980 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
封裝： 4 X 4 MM, 1.50 MM HEIGHT, LCC-11
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大?。?/td> 246K
代理商： RMPA2059
R
T
P
2005 Fairchild Semiconductor Corporation
RMPA2059 Rev. F
2
www.fairchildsemi.com
Absolute Ratings
1
Symbol
Note:
1:
No permanent damage with only one parameter set at extreme limit. Other parameters set to typical values.
Electrical Characteristics
1
Notes:
1:
All parameters met at Tc = +25°C, Vcc = +3.4V, f = 1950MHz, and load VSWR
≤
1.2:1.
2:
All phase angles.
3:
Guaranteed by design.
Parameter
Min
Max
Units
Vcc1, Vcc2
Supply Voltages
0
5.0
V
Vref
Reference Voltage
2.7
5.0
V
Vmode
Power Control Voltage
0
3.0
V
Pin
RF Input Power
–
+5
dBm
T
STG
Storage Temperature
-55
+150
°C
Symbol
f
WCDMA Operation
Gp
Parameter
Min
1920
Typ
Max
1980
Units
MHz
Comments
Operating Frequency
Power Gain
26.5
24
dB
dB
dBm
dBm
%
%
%
mA
mA
Po=+27dBm; Vmode=0V
Po=+16dBm; Vmode
≥
2.0V
Vmode=0V
Vmode
≥
2.0V
Vmode=0V
Vmode
≥
2.0V
Vmode
≥
2.0V, Vcc=1.4V
Po=+27dBm, Vmode=0V
Po=+16dBm, Vmode
≥
2.0V
WCDMA Modulation 3GPP
3.2 03-00 DPCCH+1 DCDCH
Po=+27 dBm; Vmode=0V
Po=+16 dBm; Vmode
≥
2.0V
Po=+27 dBm; Vmode=0V
Po=+16 dBm; Vmode
≥
2.0V
Po
Linear Output Power
27
16
PAEd
PAEd (digital) @ +27dBm
PAEd (digital) @ +16dBm
PAEd (digital) @ +16dBm
High Power Total Current
Low Power Total Current
Adjacent Channel Leakage Ratio
40
9.5
20
365
120
Itot
ACLR1
±5.0MHz Offset
-40
-44
-55
-63
dBc
dBc
dBc
dBc
ACLR2
±10.0MHz Offset
General Characteristics
VSWR
Input Impedance
NF
Noise Figure
Rx No
Receive Band Noise Power
2.0:1
3
-139
dB
dBm/Hz Po<+27dBm;
2110 to 2170MHz
dBc
Po
≤
+27 dBm
dBc
Load VSWR
≤
5.0:1
No permanent damage
°C
2fo-5fo
S
Harmonic Suppression
3
Spurious Outputs
2,3
Ruggedness w/ Load Mismatch
3
Case Operating Temperature
DC Characteristics
Iccq
Quiescent Current
Iref
Reference Current
Icc(off)
Shutdown Leakage Current
-30
-60
10:1
85
Tc
-30
50
4
1
mA
mA
μA
Vmode
≥
2.0V
Po
≤
+27dBm
No applied RF signal
8
5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RMPA2259 28 dBm WCDMA PowerEdge Power Amplifier Module
RMPA2263 WCDMA Power Amplifier Module 1920-1980 MHz
RMPA2265 Dual Band WCDMA Power Amplifier Module 1850 to 1910 MHz and 1920 to 1980 MHz
RMPA2271 WCDMA/UMTS Power Edge Power Amplifier Module with Integrated Power Detector
RMPA2450 2.4-2.5 GHz GaAs MMIC Power Amplifier
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
RMPA2259 功能描述:射頻放大器 3.4V WCDMA/CDMA PA RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
RMPA2259G 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
RMPA2263 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:WCDMA Power Amplifier Module 1920-1980 MHz
RMPA2265 功能描述:射頻放大器 1850-1910 MHZ/1920- 1980 MHZ DUAL BAND RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
RMPA2266 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*